極紫外光(EUV)微影技術將於2015年突破量產瓶頸。傳統浸潤式微影技術在半導體製程邁入1x奈米節點後將面臨物理極限，遂使EUV成為產業明日之星。設備供應商艾司摩爾(ASML)已協同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產出速度，預計2015年可發布首款量產型EUV機台。
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| ASML亞太區技術行銷協理鄭國偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎研究，但目前對相關設備的開發計畫仍抱持觀望態度。 |
ASML亞太區技術行銷協理鄭國偉表示，ASML於2012年下旬購併微影設備光源供應商–Cymer後，近半年在EUV技術研發方面已有重大突破。特別在光源功率表現上，已從去年30瓦(W)大幅提升至目前的55瓦，預估今年底設定功率達80瓦、每小時晶圓產出速度(wph)58片的目標也可順利達陣，並將出貨五部EUV研發型設備–NXE 3300予客戶。
與此同時，ASML亦緊鑼密鼓推動EUV量產型機台設計，目前正與英特爾(Intel)、台積電、三星(Samsung)和IMEC緊密合作，將共同投入大量研發資源並貢獻各自的矽智財(IP)，進一步提升EUV光源功率並改良光學機構設計，使晶圓產出速度和經濟效益符合業界要求。鄭國偉強調，ASML最快在2015年中就能發布EUV量產型機台，使光源功率突破250瓦，且晶圓產出速度臻至125wph，從而協助晶圓廠加速布建10奈米鰭式電晶體(FinFET)產線。
事實上，ASML已和晶圓廠客戶達成共識，認為只要將EUV光源功率提升至100～125瓦，實現70wph的水準，整體生產成本就能趕上多重浸潤式曝光，逐漸在16/14奈米FinFET製程嶄露頭角。至於2015～2016年，EUV具備125wph的產出能力，更將成為晶圓廠發展10奈米FinFET不可或缺的製程設備，躍居微影技術主流地位。
據悉，進入20奈米世代，電晶體線寬(指晶圓布線之間的距離)將微縮至30奈米以下，已超越目前主流浸潤式微影方案的解析度極限(約為3x奈米)，因此，包括台積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)等正在投資建置20奈米產線的晶圓廠，皆已相繼導入雙重曝光(Double-patterning)技術，在同一片晶圓面積上進行兩次微影製程，以實現更高密度的晶片電路布局(Layout)。
不過，鄭國偉分析，一旦採用雙重甚至三重曝光，增加晶圓製作流程的循環時間(Cycle Time)，不僅生產成本倍增，良率也會隨之下降，勢將延宕先進製程開發速度，並重重打擊晶圓廠和晶片商的投資信心。也因此，業界才會對解析度可朝30奈米以下規格延伸，並能單次曝光的EUV寄予厚望；而EUV主要設備供應商ASML更是責無旁貸，務須跨越相關技術門檻，以延續摩爾定律(Moore’s Law)。
由於EUV對半導體產業的發展舉足輕重，部分業者也憂心該技術一旦遭遇瓶頸，整個供應鏈將無以為繼的窘境，競相開始尋求備案。鄭國偉提到，現階段的確有廠商同時押寶不同的微影方案，其中，可省下光罩製程且解析度亦能滿足1x奈米晶圓要求的多重電子束(Multi E-Beam)技術，為當下呼聲最高的EUV替代選項；然而，E-Beam的晶圓產出速度還遠遠落後傳統或EUV微影，短期內難有突破性的進展。
