業界期盼已久的極紫外光(EUV)微影(Lithography)系統，可望於2010年下半年問世。屆時將有助記憶體與邏輯晶片製造商進一步朝向22奈米及以下製程節點微縮，讓摩爾定律得以持續延續。
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| ASML EUV微影系統副總裁Ron Kool指出，EUV的問世將有助摩爾定律繼續向前邁進。 |
艾司摩爾(ASML)EUV微影系統副總裁Ron Kool表示，包括光源、鏡頭與光罩等EUV關鍵技術均已順利突破瓶頸，且相關模組供應商也已陸續交貨；預計2010進入整機組裝的作業階段，預計首款EUV微影系統NXE:3100將於2010年下半年開始交貨給目前已下訂單的五家客戶。
NXE:3100 EUV微影系統係採用波長僅13.5奈米的極紫外光光源，數值孔徑(NA)可達0.25，初期鎖定27奈米製程節點，2010年目標吞吐量(Throughput)為每小時六十片晶圓。Kool指出，根據海力士(Hynix)於2009年國際光學工程學會(SPIE)中發表的資料顯示，EUV微影系統一旦突破每小時三十片晶圓的吞吐量，即可達到相當程度的經濟效益。因此，除NXE:3100系統外，ASML也已著手開發數值孔徑0.32NA的NXE:3300系統，鎖定22奈米及以下的節點，致力於提升吞吐量，預計於2014年達到每小時一百八十片晶圓的目標。
相較現今主流的193奈米浸潤式微影系統，EUV微影的光源波長僅為十五分之一，因而可讓半導體進一步微縮至10奈米左右的解析度。Kool強調，EUV微影系統將是未來半導體製程微縮最具經濟效益的量產技術。該公司預估2012年EUV微影系統將可正式進入量產階段。
據了解，目前ASML已分別獲得來自全球三大洲，包括記憶體及邏輯晶片製造商的EUV微影系統訂單。
