專訪恩智浦產品行銷經理Amit Bhojraj Cortex-M0+ MCU蠶食8位元市場

32位元微控制器(MCU)價差正急速擴張應用版圖。繼飛思卡爾(Freescale)後,近期恩智浦(NXP)亦推出首款Cortex-M0+核心32位元MCU,目標取代8位元MCU。
2012 年 12 月 17 日

把關電動車鋰電池安全 電源晶片商強推BMS方案

電池管理系統(BMS)控制晶片行情看俏。車廠為延長電動車(EV)行駛距離往往傾向裝載高電壓、多串數鋰電池組,卻也因此引發充放電安全管理疑慮,刺激加裝BMS的需求(圖1)。瞄準此一商機,凌力爾特(Linear...
2012 年 12 月 16 日

Win 8筆電/平板商機誘人 觸控IC商強打SoC方案

觸控控制器供應商正以SoC策略搶進Windows 8應用市場。由於Windows 8平板與筆電觸控面板朝向極致輕薄化發展,因此觸控IC業者逐漸將原本兩顆或三顆的設計方案,整併成單顆SoC,以進一步縮減控制板面積,迎合輕薄觸控面板發展趨勢。
2012 年 12 月 13 日

專訪芯科實驗室Ember ZigBee方案總經理Robert LeFort ZigBee SoC物聯網方案異軍突起

ZigBee整合微控制器(MCU)的系統單晶片(SoC)在物聯網(IoT)領域勢力抬頭。瞄準ZigBee在物聯網龐大的市場商機,芯科實驗室(Silicon Laboratories)憑藉先前收購Ember與其標準的互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程,亦已開發出ZigBee整合MCU的SoC方案,正式加入ZigBee...
2012 年 12 月 13 日

搶進Win 8供應鏈 MEMS業者力爭微軟認證

微機電系統(MEMS)感測器業者正大施拳腳搶攻Windows 8市場商機。隨著Windows 8行動裝置逐漸於市場開始放量,MEMS感測器需求亦不斷攀升。相關元件供應商為爭食商機大餅,皆積極與微軟展開技術交流,以加速產品取得Windows...
2012 年 12 月 10 日

專訪飛索NOR產品行銷副總裁Jackson Huang 飛索部署45奈米NOR製程

飛索(Spansion)正大舉擴張遊戲和工業版圖。儘管全球景氣未見明朗,飛索仍加碼投資45奈米(nm)製程,並導入平行式(Parallel)與串式(Serial)編碼型快閃(NOR Flash) 記憶體量產,全力進攻較不受景氣影響且市場需求持續看漲的遊戲和工業應用市場。
2012 年 12 月 10 日

提升充電效率 行動充電器革新設計架構

可攜式裝置使用的電池容量愈來愈大,導致電池充飽電的時間愈來愈長。因此,行動裝置充電器製造商一方面致力提高充電器額定功率,另一方面也開始導入高開關頻率且具備節能模式的脈衝寬度調變(PWM)控制器,以在兼顧小尺寸、低待機功耗的同時,提高充電效率。
2012 年 12 月 10 日

系統級封裝技術助攻 手機/平板導入醫療晶片有影

具備ECG功能的智慧型手機即將問世。借力SiP技術,系統整合廠將於明年推出更具性價比、尺寸優勢的ECG模組;待手機品牌廠正式導入後,銀髮族用戶將可透過ECG手機進行遠距醫療服務,屆時可望掀起一波行動醫療的風潮。
2012 年 12 月 08 日

爭搶全球IC設計老二寶座 台/陸晶片商上演龍虎鬥

台灣與中國大陸IC設計業者的競爭愈來愈白熱化。在官方政策補助與龐大內需市場的滋養下,中國大陸IC設計業者已日益壯大,不僅在諸多應用領域與台灣廠商短兵相接,整體產業產值亦快速逼進,預估2014年即可正式超越台灣。
2012 年 12 月 06 日

專訪萊特菠特技術長Christian Olgaard Multi DUT產線測試時代來臨

平行測試(Multi DUT)技術快速崛起。隨著行動裝置導入長程演進計畫(LTE)、802.11ac技術,產線端測試挑戰也愈來愈嚴峻,傳統Single DUT測試方案已逐漸式微。因此,包括萊特菠特(LitePoint)、美商國家儀器(NI)等量測業者均投入部署Multi...
2012 年 12 月 06 日

瞄準Big Data/異質網路商機 晶片廠猛攻OTN/乙太網方案

光傳輸網路(OTN)與乙太網路晶片需求「漲」聲響起。因應巨量資料(Big Data)發展趨勢,電信商正相繼升級OTN與乙太網路基礎建設,以提升行動網路覆蓋率及處理速度,因而刺激OTN網路處理器和乙太網路交換器需求增溫,吸引網通IC設計業者競逐商機。
2012 年 12 月 03 日

專訪快捷亞太區市場行銷副總裁藍建銅 快捷SiC BJT搶進高瓦數應用市場

快捷(Fairchild)正式加入碳化矽(SiC)功率半導體元件戰局。繼科銳(Cree)、英飛凌(Infineon)、羅姆(Rohm)、意法半導體(ST)等半導體大廠後,快捷首款SiC功率半導體元件--雙極電晶體(BJT)亦預定於2013年導入量產,將與其他SiC功率半導體供應商爭食5kW以上高瓦數應用市場大餅。
2012 年 12 月 03 日