可快速符合新標準 DSP打造智慧電網新樣貌

由於現今智慧電網系統日益複雜,且相關標準規範仍持續演進,因此,以DSP為基礎的設計,不僅可讓工程人員快速開發符合智慧電網新標準的系統,並與舊標準相容,還可輕易加入電源監視/分析、無線通訊或電力線通訊(PLC)等功能。
2012 年 05 月 28 日

克服電源供應雜訊問題 車用MCU提升系統穩定性

微控制器(MCU)大多數的故障問題都跟供電雜訊有關,這對要求產品零缺陷的汽車製造商而言是一大困擾。因此,MCU開發商必須在晶片內加裝必要的保護元件,並採用類比式周邊控制,才能克服供電敏感性問題,確保系統穩定運作。
2012 年 05 月 24 日

善用CMOS特性 3T SRAM技術難題有解

想要以標準互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程挑戰靜態隨機存取記憶體(SRAM)單元(Cell)的最小面積來達到3T SRAM Cell,是一個難以克服的議題。目前4T2R SRAM Cell和5T...
2012 年 05 月 24 日

突破中斷延遲限制 電容式觸控加速取代機械按鍵

大多數的設計只須經過微幅修改,就能以創新酷炫的電容式觸控感測技術,取代傳統機械式按鍵。由於電容式觸控控制器是利用中斷來模擬機械式鍵盤的掃描介面,因此開發人員應選用中斷延遲時間短的觸控控制器,以免影響產品效能。
2012 年 05 月 21 日

使用兩點增益演算法校正 DAC積分非線性誤差銳減

數位類比轉換器(DAC)的靜態絕對精確度可用三種基本規格來表示。其中,包括偏移誤差(Offset)、增益誤差(Gain Error)以及非線性誤差(Nonlinearity)。線性誤差是三者中最難應付的,因為在許多應用中,使用者可消除偏移與增益誤差,或是在系統中建構端點自動校正機制來加以補償,而線性誤差需要較複雜的校正方法。
2012 年 05 月 17 日

被動式溫度補償技術助攻 矽振盪器頻率漂移疑慮盡消

CMOS振盪器頻率漂移問題有解。CMOS振盪器開發商已發展出被動式溫度補償技術,能透過加入耗損電容值來消除因線圈所造成的頻率漂移,讓CMOS振盪器在-20~70℃間的各種運作狀況下,達成全面的頻率穩定性。
2012 年 05 月 17 日

銅纜難過10Gbit/s關卡 光纖互連應用加溫

高速傳輸介面光纖化的趨勢已然成形。2012年將有愈來愈多外部傳輸介面導入光連結技術;同時也將看到光纖逐步進到機殼內,成為各電路板、零組件間的數據傳輸媒介。未來,光連結甚至可成為晶片內部不同電路區塊,訊號溝通的主要途徑。
2012 年 05 月 14 日

以專用硬體執行軟體濾波 電容式觸控螢幕效能全面升級

電容式觸控螢幕已成為主流的智慧型手機和平板電腦使用者介面技術,同時正迅速被許多其他種類的設備所採用。產品設計人員要在設備中導入電容式觸控螢幕,就得同時滿足許多要求;當這些要求彼此衝突時,例如要提高雜訊抑制還是螢幕回應能力,設計人員往往要在設計品質作出折衷權衡。
2012 年 05 月 14 日

減低多重串列資料串流實作成本 SerDes集合功能幫大忙

Multi-Gigabit串列資料連結已廣泛運用在許多電子產品中,透過離散式SerDes將系統中的各種資料類型整合應用,如高畫質視訊、立體聲音效及3D圖形等,除可發揮高品質傳輸功效,亦將促進設計人員擴增系統功能。
2012 年 05 月 10 日

電晶體驅動能力優異 Oxide TFT實現超高畫素面板

電晶體驅動能力係超高解析度螢幕發展的重要關鍵。氧化物薄膜電晶體(Oxide TFT)具有高元件遷移率、高均勻性及大面積製程相容性,並有機會達成高穩定性及製程良率,極適合用於下一代顯示器的驅動陣列,以實現4K×2K,甚至8K×4K的超高解析度顯示效能。
2012 年 05 月 07 日

因應巨量資料新浪潮 資料中心儲存規格大躍進

面對巨量資料處理需求,資料中心內的各種傳輸介面正全速升級傳輸速率,相關業者也傾力催生新一代SAS-3介面晶片,以及PCIe SSD標準與解決方案,加速新型低成本、高效率資料中心成形。
2012 年 05 月 07 日

搭配需量反應機制 智慧電網實現電廠/用戶雙贏

在台灣積極邁向「低碳經濟」發展的過程中,建置智慧電網(Smart Grid)是節能減碳策略中最重要的環節之一。由於建構智慧電網為巨大投資,須有賴架構於智慧電網之上的各種新興應用來獲得投資回收。
2012 年 05 月 07 日