常關需求引發路線之爭 D-mode GaN不容低估(1)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型:常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時,有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上,常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面,都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

常關需求引發路線之爭 D-mode GaN不容低估(2)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型:常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時,有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上,常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面,都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

常關需求引發路線之爭 D-mode GaN不容低估(3)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型:常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時,有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上,常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面,都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

AI人機協作降半導體製程開發成本(3)

製造半導體晶片的瓶頸之一,是開發電晶體和記憶體儲存單元的化學電漿製程所需的成本越來越高。這些製程仍然是由訓練有素的工程師以人工方式進行開發,透過尋找機台上的參數組合,以便在矽晶圓上產出可接受的結果。 (承前文)人類基準測試的目標成本的基準是由人類玩家決定的。志願者包括六名擁有物理科學博士學位的專業製程工程師。工程師們根據他們之前對製程趨勢和電漿參數依賴關係的瞭解,利用機械性假設來設計其實驗。作為參考,三名無相關製程經驗的人員也參與其中。參加這場比賽的電腦演算法為貝氏最佳化演算法,這是一種適合於昂貴黑盒函數的常用機器學習方法。...
2023 年 10 月 27 日

AI人機協作降半導體製程開發成本(4)

製造半導體晶片的瓶頸之一,是開發電晶體和記憶體儲存單元的化學電漿製程所需的成本越來越高。這些製程仍然是由訓練有素的工程師以人工方式進行開發,透過尋找機台上的參數組合,以便在矽晶圓上產出可接受的結果。 (承前文)此外,團隊預計,如果目標放寬,V形的右側可能不明顯,或者相反,可能在只需要重新調整的製程中占首要地位,例如在腔體配對中(或將一道製程轉移到另一個機台)。人類知識在高維度探索空間中可能特別重要,可以有效延遲向電腦的轉移。可能影響轉移點的其他因素包括製程雜訊、製程漂移、目標公差、批次大小、受限制範圍和成本結構。團隊還有很多東西要學。這些議題可在虛擬製程平台上,進行進一步的系統性研究。...
2023 年 10 月 27 日

微應力測試突破先進封裝瓶頸(1)

為了達到垂直整合的目的,多層薄膜堆疊結構已被大量地運用在半導體製程當中,並且遭遇各種技術瓶頸。為了克服這些瓶頸,奈米壓痕測試儀及奈米刮痕測試儀為兩個重要的分析工具。 在半導體積體電路朝向尺寸微小化和功能極大化的發展方向上,先進封裝技術已成為提高晶片性能的重要途徑之一。然而,為了達到垂直整合的目的,多層薄膜堆疊結構已被大量地運用在製程當中。由於不同材料之間的機械特性無法相互搭配,以及製程中產生的熱機械應力,導致的各種失效模式亦接踵而來。為了克服這些瓶頸,對於材料機械特性的掌握變得至關重要,在微米及奈米尺度的世界中,奈米壓痕測試儀及奈米刮痕測試儀為兩個重要的分析工具。除了可用來分析材料的機械特性,以及多層結構中的附著能力,亦可作為區域化應力的工具,搭配後續影像分析技術,如掃描式電子顯微鏡(SEM)、雙束聚焦離子顯微鏡(DB-FIB)或穿透式電子顯微鏡(TEM)可更進一步地分析內部結構變化,找出造成故障的脆弱點位置。...
2023 年 10 月 23 日

微應力測試突破先進封裝瓶頸(2)

為了達到垂直整合的目的,多層薄膜堆疊結構已被大量地運用在半導體製程當中,並且遭遇各種技術瓶頸。為了克服這些瓶頸,奈米壓痕測試儀及奈米刮痕測試儀為兩個重要的分析工具。 銅柱凸塊機械特性分析 (承前文)為了滿足終端產品輕薄短小的需求,晶片訊號處理輸入/輸出需求數量不斷增加,這意謂著晶片封裝中的引線節點數密...
2023 年 10 月 23 日

SiC掃平電動車里程焦慮(1)

電動車的市場接受度已經越來越高。汽車製造商繼續努力提高電動車的行駛里程並縮短充電時間,以克服這個影響電動車普及率的重要障礙。為了提高車載充電器的性能,汽車製造商正在探索採用碳化矽(SiC)等新技術。 雖然里程焦慮一直存在,但混合動力、純電動等各種形式的電動車(EV)的市場接受度已經越來越高。汽車製造商繼續努力提高電動車的行駛里程並縮短充電時間,以克服這個影響電動車普及率的重要障礙。電動車的易用性和便利性受到充電方式的顯著影響。...
2023 年 10 月 18 日

SiC掃平電動車里程焦慮(2)

電動車的市場接受度已經越來越高。汽車製造商繼續努力提高電動車的行駛里程並縮短充電時間,以克服這個影響電動車普及率的重要障礙。為了提高車載充電器的性能,汽車製造商正在探索採用碳化矽(SiC)等新技術。 車載充電器分析...
2023 年 10 月 18 日

後照鏡自動轉向/盲區照明神助攻 機車騎乘輔助系統安全上路(1)

機車騎乘輔助系統以微控制器為技術基礎的解決方案。這兩項解決方案最大的特色在於,角度可調的後照鏡及投射方向可自動改變大燈燈具,用電子智慧解決市面上機車對於燈光照射角度不足,與後照鏡的視野死角等問題。 本產品使用盛群微控制器設計能夠依照騎乘路況,完成最佳化後照鏡可視角度自動調整,及輔助盲區照明系統,增加機車轉向時安全性。本系統使用陀螺儀偵測車體傾斜角度及轉向加速度,以微控制器計算車身預計轉向弧度,控制伺服馬達提前帶動照明燈具,至預計轉向行進之位置。以降低夜間行駛因光線不良,轉彎時照明不足所造成的危險。依照車體轉向與傾斜角度,後照鏡也能自動調整可看清楚後方路況角度,能有效提升機車轉向時的騎乘安全性,降低變換車道以及轉彎時車禍或意外發生的機率。...
2023 年 10 月 17 日

後照鏡自動轉向/盲區照明神助攻 機車騎乘輔助系統安全上路(2)

機車騎乘輔助系統以微控制器為技術基礎的解決方案。這兩項解決方案最大的特色在於,角度可調的後照鏡及投射方向可自動改變大燈燈具,用電子智慧解決市面上機車對於燈光照射角度不足,與後照鏡的視野死角等問題。 產品結構...
2023 年 10 月 17 日

麵包板靈活加速產品開發(1)

供應商的電源轉換器(Adapter)和麵包板套件,協助開發人員完成接近最終產品的原型設計。此外,本文廠商提供的套件有助於簡化建構有用且可靠的麵包板,以便能夠用於驗證電路拓撲結構和介面,可按照需求連接到獨立模組和評估板,並實現有意義的原型。...
2023 年 10 月 17 日