揭密電腦視覺動態捕捉 光流物件偵測運動資訊不漏接(2)

(承前文)電腦視覺(Computer Vision)使用物件偵測(Object Detection)技術,能夠識別特定類別的物件,並使用語義分割(Semantic Segmentation)技術將每一個像素(Pixel)分類。安裝在自駕車上或無人機上的相機,因為兩者的運動而產生震動,所拍攝影像的相鄰訊框之間的變化關係,隱藏著自駕車或無人機的運動資訊。光流(Optical...
2023 年 11 月 29 日

SiC低耗損提升UPS效率

許多交流電源供電的關鍵應用均配有不斷電系統(UPS),以便在完全斷電時,UPS能夠作為臨時電源,確保供電電壓保持在規格範圍內,這對於負載容易受電源電壓突降或波動影響的情況尤為重要。UPS有兩種類型,線上式和離線式(圖1)。線上式UPS是首選方法,因為它能夠在需要時從電網供電無縫切換到電池供電。此類UPS從電網接收輸入功率,並將輸出供應給負載,通常是資料中心中的伺服器或工廠生產線上的關鍵設備。...
2023 年 11 月 09 日

解密250W電池充電器設計

日常生活中使用的裝置和設備,越來越多改用電池供電。居家環境周圍就有使用電池的電子設備,例如無線電動工具、無人機和其他家用機器人,包含掃地機器人、割草機等。同時,由於石油價格上漲、政府獎勵措施,以及人們對空氣污染的意識不斷提高,像是自行車、滑板車等常見的載具,現在也都改成電動車。所有應用的出現,正迅速改變市場對電池充電設備和基礎架構的需求。本文將討論高達250W的AC/DC電池充電器參考設計,如何為開發人員節省投入在設計上的時間和心力。...
2023 年 11 月 08 日

軟體導入比例節節高升 SBOM強化聯網車軟體安全性

在上篇文章中,談到軟體物料清單(SBOM)能為軟體定義汽車(SDV)生態系帶來什麼好處。本篇將深入探討如何善用SBOM的優勢來大幅強化軟體供應鏈安全。 隨著聯網汽車越來越仰賴複雜的軟體系統來運作,相關產業研究報告也預測未來軟體元件占整體結構的比例將從目前的10%增加至40%。而軟體所占比例的增加,將使得駭客可攻擊的潛在漏洞也相對增加。...
2023 年 11 月 02 日

車用HPC晶片驗證不容忽視

近年來全球車用半導體晶片市場大幅快速成長,根據摩根士丹利(Morgan Stanley)2023年所發布的最新報告中指出,未來五年內的汽車高效能運算Automotive HPC(High-Performance...
2023 年 10 月 31 日

常關需求引發路線之爭 D-mode GaN不容低估(1)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型:常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時,有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上,常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面,都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

常關需求引發路線之爭 D-mode GaN不容低估(2)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型:常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時,有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上,常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面,都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

常關需求引發路線之爭 D-mode GaN不容低估(3)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型:常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時,有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上,常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面,都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

AI人機協作降半導體製程開發成本(3)

製造半導體晶片的瓶頸之一,是開發電晶體和記憶體儲存單元的化學電漿製程所需的成本越來越高。這些製程仍然是由訓練有素的工程師以人工方式進行開發,透過尋找機台上的參數組合,以便在矽晶圓上產出可接受的結果。 (承前文)人類基準測試的目標成本的基準是由人類玩家決定的。志願者包括六名擁有物理科學博士學位的專業製程工程師。工程師們根據他們之前對製程趨勢和電漿參數依賴關係的瞭解,利用機械性假設來設計其實驗。作為參考,三名無相關製程經驗的人員也參與其中。參加這場比賽的電腦演算法為貝氏最佳化演算法,這是一種適合於昂貴黑盒函數的常用機器學習方法。...
2023 年 10 月 27 日

AI人機協作降半導體製程開發成本(4)

製造半導體晶片的瓶頸之一,是開發電晶體和記憶體儲存單元的化學電漿製程所需的成本越來越高。這些製程仍然是由訓練有素的工程師以人工方式進行開發,透過尋找機台上的參數組合,以便在矽晶圓上產出可接受的結果。 (承前文)此外,團隊預計,如果目標放寬,V形的右側可能不明顯,或者相反,可能在只需要重新調整的製程中占首要地位,例如在腔體配對中(或將一道製程轉移到另一個機台)。人類知識在高維度探索空間中可能特別重要,可以有效延遲向電腦的轉移。可能影響轉移點的其他因素包括製程雜訊、製程漂移、目標公差、批次大小、受限制範圍和成本結構。團隊還有很多東西要學。這些議題可在虛擬製程平台上,進行進一步的系統性研究。...
2023 年 10 月 27 日

微應力測試突破先進封裝瓶頸(1)

為了達到垂直整合的目的,多層薄膜堆疊結構已被大量地運用在半導體製程當中,並且遭遇各種技術瓶頸。為了克服這些瓶頸,奈米壓痕測試儀及奈米刮痕測試儀為兩個重要的分析工具。 在半導體積體電路朝向尺寸微小化和功能極大化的發展方向上,先進封裝技術已成為提高晶片性能的重要途徑之一。然而,為了達到垂直整合的目的,多層薄膜堆疊結構已被大量地運用在製程當中。由於不同材料之間的機械特性無法相互搭配,以及製程中產生的熱機械應力,導致的各種失效模式亦接踵而來。為了克服這些瓶頸,對於材料機械特性的掌握變得至關重要,在微米及奈米尺度的世界中,奈米壓痕測試儀及奈米刮痕測試儀為兩個重要的分析工具。除了可用來分析材料的機械特性,以及多層結構中的附著能力,亦可作為區域化應力的工具,搭配後續影像分析技術,如掃描式電子顯微鏡(SEM)、雙束聚焦離子顯微鏡(DB-FIB)或穿透式電子顯微鏡(TEM)可更進一步地分析內部結構變化,找出造成故障的脆弱點位置。...
2023 年 10 月 23 日

微應力測試突破先進封裝瓶頸(2)

為了達到垂直整合的目的,多層薄膜堆疊結構已被大量地運用在半導體製程當中,並且遭遇各種技術瓶頸。為了克服這些瓶頸,奈米壓痕測試儀及奈米刮痕測試儀為兩個重要的分析工具。 銅柱凸塊機械特性分析 (承前文)為了滿足終端產品輕薄短小的需求,晶片訊號處理輸入/輸出需求數量不斷增加,這意謂著晶片封裝中的引線節點數密...
2023 年 10 月 23 日