Cambridge GaN Devices(CGD)致力於開發一系列節能的GaN式電力裝置，目標是讓電子元件變得更環保，該公司在應用電子電力大會(APEC)上提出多篇論文，涵蓋關於永續發展的策略觀點並深入進行技術分析。CGD使用通過驗證的參考設計和評估板，並透過新建立和既有的GaN生態系統合作夥伴進行展示。
CGD執行長GiorGIA LONGOBARDI表示，電力電子產業和整個世界現在逐漸認知到，氮化鎵技術將在實現更高效率、高效能和更輕巧的永續電子解決方案過程中扮演關鍵角色。
CGD在APEC中展示四篇論文：「GaN動態Rds(ON)概觀和0V GOFF在實際應用中的量化效能優勢」，由CGD應用工程總監Peter Comiskey主持；「運用GaN實現碳目標」，由CGD執行長Giorgia Longobardi主持；「ICeGaN 650V功率GaN IC將高功率應用的效率、耐用性和可靠性提升到全新層次」，由CGD執行長Giorgia Longobardi主持；「具有出色閘極過電壓耐用性的GaN HEMT」，由維吉尼亞理工大學和CGD創新與研究總監Daniel Popa主持。
美洲分公司業務開發部副總裁Peter DiMaso在3月23日主持以WBG應用為題的IS19會議，另外應用工程總監Peter Comiskey在3月23日下午主持以寬能隙(WBG)裝置為題的IS25會議。
CGD在305號展位上進行一系列展示，展出業界首個簡單易用且可擴充的650 V GaN HEMT系列。ICeGaN H1單晶片eMode HEMT可像MOSFET一樣驅動，不需要特殊的閘極驅動器、複雜且有損耗的驅動電路，沒有負電壓電源要求，也不需要額外的箝位元件。展示內容包括半橋、350W LLC、350W PFC、65W QRF和3kW LLC評估電路，加上熱展示，以及與Neways合作使用GaN開發的3kV光電太陽能逆變器範例。
