Cambridge GaN Devices(CGD)宣布，由維吉尼亞理工大學進行的獨立第三方研究表明，CGD的ICeGaN氮化鎵技術較其他氮化鎵平台更具可靠性及堅固性。在由維吉尼亞理工大學的研究人員與CGD創新與研究總監Daniel Popa共同提出名為《A GaN HEMT with Exceptional Gate Over-Voltage Robustness》(具有絕佳閘極過電壓穩健性的GaN HEMT)的論文中，以實驗證據證表明ICeGaN HEMT在智慧保護電路的支援下，顯示出超過70V的超高過電壓裕度，這與最先進的傳統矽裝置相當，甚至可能更高。
CGD創新與研究總監DANIEL POPA表示，突發的高驅動電壓是在設計GaN HEMT裝置的閘極可靠性和驅動器時所考慮的一大問題。最先進的GaN HEMT能夠承受25V左右的電壓，這在轉換器等應用裝置裡可能是在閘極電壓過衝的範圍內，而造成裝置故障。在出現ICeGaN之前，只有最先進的碳化矽(SiC)和超接面裝置才能達到70V或更高的崩潰電壓值。
ICeGaN HEMTS自有一套獨特能力，共同提高了裝置的可靠性，遠優於當前最先進的GaN競品，同時接近最先進的矽基裝置堅固性。除了經維吉尼亞理工大學研究證實，完全整合之GaN智慧電路所大幅提升的動態閘極崩潰能力，ICeGaN技術還具有更高的3V電壓閾值、更高的0~20V電壓範圍，以及在較低溫度下更強大的閘極電壓箝位作用。
智慧ICeGaN電路另加入新式米勒鉗位(Miller Clamp)電路，確保免受高dV/dt和dI/dt事件的影響，無需負閘極電壓即可關閉(及保持關閉)HEMT，這樣又減少對動態Ron應力的暴露。
CGD商務長ANDREA BRICCONI表示，易用性與可靠性是CGD ICeGaN技術的兩大優點。CGD的設計將使用晶片氮化鎵GaN製造的智慧保護電路與HEMT進行整合，方能實現這兩大優點，以與MOSFET相同的方式來驅動裝置，無須使用特殊的閘極驅動器、複雜且有損耗的驅動電路、負電壓電源要求或額外的箝位零件，且能在惡劣及具有挑戰性的應用環境中使用。
