CPO突破半導體極限 矽光子晶片即將上陣(2)

作者: 張齊如
2024 年 08 月 07 日
矽光子技術已成為半導體產業的關鍵研發核心,若能將處理光訊號的光波導元件整合到矽晶片上,同時處理電訊號和光訊號,便可達到縮小元件尺寸、減少耗能、降低成本的目標。 (承前文)PIN是由一組高摻雜P(p+)型區和N(n+)型區之間,夾著一層本質(Intrinsic)區所組成。在負偏壓下二極體的空乏寬度(Wd),會擴展至整個本質層。如圖2下能帶結構所示,當入射到本質層中的光子被吸收後,於導電和價電帶間產生電子——電洞對的漂移而形成電流。在矽光子元件的研發中最重要的方向,就是在不影響常規CMOS元件的特性下,透過調整光電偵測器PIN的製程,且能使效能與頻寬達到最佳化。...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

CPO突破半導體極限 矽光子晶片即將上陣(1)

2024 年 08 月 07 日

精熟材料熱特性強固先進封裝(1)

2023 年 08 月 30 日

精熟材料熱特性強固先進封裝(2)

2023 年 08 月 30 日

微應力測試突破先進封裝瓶頸(1)

2023 年 10 月 23 日

微應力測試突破先進封裝瓶頸(2)

2023 年 10 月 23 日

異質整合重要性日增 晶粒到晶圓接合備受矚目

2021 年 04 月 27 日
前一篇
德州儀器發表磁性封裝技術 電源模組尺寸縮小50%
下一篇
CPO突破半導體極限 矽光子晶片即將上陣(1)