賽普拉斯(Cypress)與上海華力微電子近日宣布，雙方已採用賽普拉斯的矽氧化氮氧化矽(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon, SONOS)嵌入式快閃記憶體矽智財(IP)及55奈米製程，共同研發出用於智慧卡(Smart Card)和物聯網(IoT)應用的矽標準單元(Silicon Cell)。
賽普拉斯技術與IP事業部副總裁Sam Geha表示，對於飛速成長的智慧卡、物聯網、銀行卡、穿戴式電子及其他邏輯為主(Logic-dominated)的產品市場而言，低成本、高性能及可靠度佳的SONOS技術將是理想的選擇，賽普拉斯將繼續與上海華力等領導廠商合作，讓SONOS技術成為業界嵌入式非揮發性記憶體平台的最佳首選。
據了解，上海華力微電子是於2014年1月取得賽普拉斯55奈米SONOS嵌入式非揮發性快閃記憶體的技術授權。該項技術能提供比其他嵌入式非揮發性記憶體更為顯著的優勢；如SONOS只須要在標準互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程上使用三層光罩(Mask)，而其他的嵌入式快閃記憶體技術則需九到十二層，因此SONOS技術能降低製造成本。
此外，在標準CMOS製程中導入SONOS技術，不會改變標準元件特性或模型，並可保留現有基於CMOS製程設計的IP。SONOS技術使產品具有高良率和出色的可靠性，能夠保存10年的資料，且可重複寫入/擦除(Program/Erase)約十萬次並且高度阻絕軟錯誤(Soft Error)的發生。賽普拉斯亦已證明其可將SONOS技術微縮到40和28奈米製程節點，從而加速未來IP的開發。
上海華力微電子副總裁舒奇表示，SONOS是一個具有成本效益的製程技術，能帶來高良率等優勢，其可靠度和高效性也是物聯網和智慧卡產品能夠大量生產的關鍵。該公司很高興與賽普拉斯共同達成55奈米SONOS嵌入式快閃記憶體驗證這一技術里程碑，此項合作意義重大，客戶也將從中獲益。
