Enphase Energy公司採用英飛凌科技的600 V CoolMOS 8高壓超接面(SJ) MOSFET產品系列，簡化了系統設計並降低了裝配成本。透過使用600 V CoolMOS 8 SJ，Enphase顯著降低了其太陽能逆變器系統的MOSFET內阻(RDS(on))，進而減少了導通損耗，提高了整體設備效率和電流密度，並節省了與MOSFET相關的成本。
英飛凌資深副總裁暨總經理Richard Kuncic表示，與Enphase的合作支援了他們提供創新太陽能解決方案的使命。英飛凌的600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET專為以低成本提供卓越的效率和可靠性而設計，這與雙方提高再生能源技術性能和經濟性的承諾相吻合，進一步推動低碳化進程。
Enphase Energy資深副總裁暨系統業務部總經理Aaron Gordon表示，透過與英飛凌的合作，Enphase利用CoolMOS 8 SJ MOSFET技術提高了微型逆變器系統的性能和經濟性，展現了在太陽能產業追求創新與卓越的決心。
英飛凌最新推出的600 V CoolMOS 8 MOSFET在全球高壓超接面MOSFET技術領域處於領先地位，為多種應用的整體系統性能提供了提升，進一步推動了低碳化。
CoolMOS 8 SJ MOSFET的閘極電荷較CFD7降低了18%，較P7系列降低了33%。閘極電荷的降低減少了MOSFET的閘極從關斷狀態切換到導通狀態所需的電荷，使系統更加節能。此外，CoolMOS 8 SJ MOSFET擁有更快的關斷時間，其熱性能較上一代產品提高了14%至42%。該產品整合快速體二極體，並提供多種封裝選擇，適用於各種消費和工業應用。
600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET和650 V CoolMOS 8 SJ MOSFET產品組合擴展樣品將從四月初開始供應。
