宜普電源轉換(EPC)推出了40V、1.6mΩ的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)，元件型號為EPC2069，專爲設計人員而設，EPC2069比目前市場上可選的元件更小、更高效、更可靠，適用於高性能且空間受限的應用。
EPC2069非常適合需要高功率密度的應用，包括48V-54V輸入伺服器。較低的閘極電荷和零反向恢復損耗可實現1MHz及更高頻率的高頻操作、高效並在10.6mm2的微小占板面積內，實現高功率密度。EPC2069元件可支持48V/12V DC/DC解决方案，範圍從 500W到2kW，效率超過98%。在初級側和次級側使用氮化鎵(eGaN)元件可實現超過4000 W/in3的最大功率密度。
EPC公司首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow說，EPC2069元件專爲從40 V–60V轉至12V的LLC DC/DC轉換器的次級側而設計，目前非常普遍用於48V~54V輸入的伺服器，以應對人工智能和遊戲等高密度計算應用所需。與上一代40V GaN FET相比，40V元件的尺寸更小、寄生電感更小和成本更低，從而讓設計師實現高性能和成本效益。
EPC90139開發板的最大元件電壓爲40V 、最大輸出電流爲40A，配備板載閘極驅動器的半橋元件，採用了EPC2069 eGaN FET。這款 2×2(50.8 mmx50.8mm)的電路板專爲實現開關性能而設計，包含所有關鍵組件，讓工程師易於評估EPC2069。
