EV Group(EVG)宣布推出NanoCleave技術，為供矽晶圓使用的革命性薄膜釋放技術。此技術使得先進邏輯、記憶體與功率元件的製作及半導體先進封裝的前段處理製程，能使用超薄的薄膜堆疊。EVG於9月14日~16日在台北南港展覽館一館舉行的SEMICON Taiwan分享這個IR雷射轉移技術的突破。
EVG全新的NanoCleave技術使用IR雷射與無機的釋放材料，以奈米級精度在矽晶圓上促成雷射剝離。NanoCleave技術讓先進封裝不再需要使用玻璃基板、避開溫度與玻璃載具間的相容性問題，並在不改變工藝記錄的前提下，透過載具為前段處理轉移超薄型(單微米和更低)薄膜。
EVG技術執行總監Paul Lindner表示，由於製程公差的容許值越來越嚴格，要達成半導體微縮的複雜度與難度亦隨之提升。產業需要全新的製程與整合方式，以達到更高的整合密度與元件效能。EVG的NanoCleave薄膜釋放技術透過薄膜與晶粒堆疊，可以徹底改變半導體微縮的狀況。
使用EVG的NanoCleave技術時，矽晶圓的背面會曝露在IR雷射下，IR雷射的獨特波長讓矽晶圓處於透明狀態。利用標準沉積製程預先建構至矽晶圓堆疊的無機釋放層可以吸收IR，讓矽晶圓上預先設定且精確定義的薄膜或區域產生剝離。使用無機的釋放層，可以使用更精準且更薄的釋放層，範圍在幾奈米以內。此外，無機的釋放層相容於高溫處理(最高達1,000°C)，可以為無法相容於有機粘合劑的許多前段應用促成薄膜轉移，如磊晶、沉積與退火。
