Fairchild近期推出SuperFET III 650V N通道MOSFET系列，這是該公司推出的新一代MOSFET，能夠滿足最新的電信、伺服器、電動汽車(EV)充電器及光伏產品，對於更高功率密度、系統效率及出色的可靠性方面的要求。
SuperFET III MOSFET系列，兼具同類最佳的可靠性、低EMI、出色的效率以及卓越的熱效能，使其成為高效能應用的理想選擇。除了出色的效能特性，其廣泛的封裝選擇更是錦上添花，賦予產品設計者更大的靈活性，對於尺寸受限的設計尤其如此。
Fairchild大功率工業應用事業部副總裁兼總經理趙進表示，無論產業為何，我們的客戶都在不斷尋求以動態方式，增強每一代新產品的效率、效能及可靠性，同時致力於加速新產品的上市。在設計全新SuperFET III MOSFET時，除了可幫助客戶滿足其關鍵產品目標，還將確保元件可降低物料成本，縮減電路板空間以及簡化產品設計。
SuperFET III系列具有卓越的耐用性及可靠性，其中的關鍵因素在於體二極體，以及單脈衝崩潰能量(EAS)效能。
650V SuperFET III系列在關斷期間具有較低的峰值汲源極電壓，在低溫運行時可增強系統可靠性，因為相較於室溫，在接面溫度為-25℃的條件下，崩潰電壓自然而然地降低5%，且峰值汲源極電壓在低溫下會增加。
