FinFET改變戰局 台積將組大聯盟抗三星/Intel

作者: 黃耀瑋
2013 年 07 月 22 日

晶圓代工廠邁入高投資與技術門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)製程世代後,與整合元件製造商(IDM)的競爭將更為激烈,因此台積電正積極籌組大聯盟(Grand Alliance),串連矽智財(IP)、半導體設備/材料,以及電子設計自動化(EDA)供應商等合作夥伴的力量,強化在FinFET市場的競爭力。




台積電董事長暨總執行長張忠謀提到,今年台積電雖屢創季營收新高,但第四季因客戶調整庫存可能出現微幅下滑的情形。



台積電董事長暨總執行長張忠謀表示,台積電在20奈米(nm)市場仍未看到具威脅性的對手,可望延續製程領先腳步,目前已開始安裝設備,明年第一季將如期量產。然而,他也坦言,隨著一線晶圓廠紛紛於2015年進入14或16奈米FinFET製程後,台積電確實將面臨更大的競爭壓力,特別是來自三星、英特爾等IDM大廠的威脅力道最劇,必須提早發動因應策略。



事實上,FinFET技術更複雜、投資金額也更巨大,晶圓代工廠很難再以孤軍奮戰的策略進行研發,因此台積電正如火如荼組織產業同盟,目前已與益華電腦(Cadence)、明導國際(Mentor Graphics)等EDA工具商,以及安謀國際(ARM)和Imagination等IP業者達成共識,未來將共同在台積電開放創新平台(OIP)上挹注創新技術能量,加速優化16奈米FinFET製程。張忠謀認為,產業大聯盟重要性在於相互融合不同廠商的長處,以研製最出色的製程解決方案,這將是台積電與IDM較勁最關鍵的優勢。



除聯合異業夥伴共同出擊外,張忠謀也透露,台積電在今明兩年都將以95~100億美元的高額資本支出,不斷擴充FinFET研發團隊和產能,現已與大客戶展開合作,搶先掌握許多16奈米FinFET設計定案(Tape Out)。



此外,台積電也緊鑼密鼓投入再下一代的10奈米FinFET製程布局,避免在任何新技術節點的發展被對手超前。據悉,該公司與艾司摩爾(ASML)共同投入研發次世代極紫外光(EUV)微影技術,已逐步進入收割階段,可望在2017年正式用於10奈米晶圓,大幅提高吞吐量與生產效率。



張忠謀強調,在FinFET時代,台積電以晶圓代工廠的定位與IDM角逐市場還算有競爭力,但比較辛苦;若以產業大聯盟的方式將非常有競爭力,有信心能提供更完整的製程服務和更高品質的晶片。

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