IDT/宜普電源轉換公司(EPC)將同共拓展氮化鎵(GaN)新商機。兩間公司將聯手發展氮化鎵技術，並結合EPC的eGaN技術和IDT的解決方案，以將氮化鎵技術拓展至無線充電、射頻(RF)和通訊等創新應用領域。
IDT全球經營副總裁兼技術長Sailesh Chittipeddi表示，氮化鎵可發展更高性能、更有區隔性的產品，同時IDT看好EPC的氮化鎵功率管理技術，期待雙方可共同研發以氮化鎵為基礎的產品，也希望藉新產品拓展未來的市場。
氮化鎵是近年來功率半導體材料的新趨勢，與之前的矽元件相比，因其技術尚不如矽元件成熟，加上成本較高，目前商業化尚不普遍，但因其具有高速、高效率和耐高溫等特性，過去已應用於發光二極體(LED)、射頻和高溫微波領域，如今業界則試圖研究此新興半導體材料尚可應用於哪些領域。
現今IDT和EPC將針對氮化鎵技術，朝無線充電、射頻和通訊三領域發展。在無線充電方面，無線充電標準聯盟(A4WP)的無線充電標準運行於6.78MHz頻段，而氮化鎵具有高速、低損耗開關能力，因此於此頻段仍具高效率，未來此兩間公司將結合專業氮化鎵技術和相關解決方案，來實現高效能、具成本競爭力的無線充電解決方案。
另外，在通訊和計算基礎設施方面，氮化鎵的低電容和零反向恢復電荷(QRR)特性，加上它的晶片尺寸封裝(CSP)優勢，促進氮化鎵即使處在高頻仍具高效率性能，未來亦透過其高效率性能，結合IDT精確通訊和系統專業知識，以提升其功率密度，並實現其在通訊和計算基礎設施的競爭優勢。
