IGBT實現可靠高功率應用

作者: Jinchang Zhou
2023 年 04 月 21 日
近期碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙半導體的應用日益增多,受到市場廣泛關注。然而,在這些新技術出現之前,許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣閘雙極電晶體(IGBT),事實上,許多此類應用仍然適合繼續使用...
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