比利時微電子研究中心(imec)及艾司摩爾(ASML)近日宣布，雙方計畫在開發最先進高數值孔徑(high-NA)極紫外光(EUV)微影試驗製程的下一階段強化彼此之間的合作。
該試驗製程的目標是協助採用半導體技術的所有產業了解先進半導體技術所能帶來的契機，並提供一套能在未來支援其創新的原型設計平台。imec、艾司摩爾及其它夥伴所建立的合作將能探索創新的半導體應用，還可能為晶片製造商及終端使用者開發永續的前瞻製造方案，同時攜手設備及材料生態系統來發展尖端圖形化技術的完整製程。
這次簽署的合作備忘錄(MoU)包含為imec設於比利時魯汶的試驗製程提供先進微影及量測設備的全套安裝及維運，像是最新型的0.55 NA EUV設備TWINSCAN EXE:5200系統、新型的0.33 NA EUV設備TWINSCAN NXE:3800系統、浸潤式深紫外光(DUV)設備TWINSCAN NXT:2100i、Yieldstar光學量測系統和HMI多光束檢測系統。此次計畫的合作項目對於該先進試驗製程來說意義非凡。
要開發新一代AI系統等高性能且節能的晶片，高數值孔徑技術是關鍵所在。該技術還能實現創新的深度技術(deep-tech)解決方案，用來解決當前社會在像是健康照護、營養學、交通/汽車、氣候變遷和永續能源等方面所面臨的一些主要挑戰。為了確保業界在2025年以後能獲取高數值孔徑極紫外光微影技術，並保留歐洲在相關先進製程上的研發能力，挹注重大投資不可或缺。
此合作備忘錄為imec和艾司摩爾在高數值孔徑極紫外光技術方面的下一階段緊密合作揭開了序章。第一階段的製程研究正在雙方共同建立的實驗室進行，採用的是世界首台高數值孔徑極紫外光曝光機TWINSCAN EXE:5000系統。imec和艾司摩爾與各大晶片製造商、材料和設備生態系統夥伴建立合作，以在量產時最快導入該技術為共同目標並做出準備。下一階段，這些合作項目將在imec位於比利時魯汶的試驗製程中加速推展，採用的是新一代高數值孔徑曝光機TWINSCAN EXE:5200系統。
此次半導體業的兩位要角計畫在微影與量測技術上強化合作，這與歐盟及其成員國的願景及計畫一致，即作為歐洲共同利益重要項目(IPCEI)的晶片法案(Chips Act)，目標是強化創新，進而解決社會上的挑戰。因此，imec與艾司摩爾的部分合作內容納入了一項歐洲共同利益重要項目(IPCEI)的提案，目前正由荷蘭政府審查。
艾司摩爾CEO Peter Wennink表示，艾司摩爾持續在imec最先進的試驗製程投注大量心力，藉此驅動歐洲半導體的研究和永續創新。隨著人工智慧(AI)技術快速擴展到像是自然語言處理、電腦視覺和自主系統等領域，開發工作的複雜度也在攀升。因此，開發出能滿足這些運算需求的晶片技術至關重要，同時還不耗費地球的珍貴(能源)資源。
Imec CEO Luc Van den hove則認為，艾司摩爾此次做出的承諾奠基於超過30年的成功合作經驗，彰顯了我們對於發展奈米以下的晶片技術所展現的堅持不懈精神。此次合作也證明了晶片產業內部團結所帶來的實力。儘管這些合作計畫最初能讓我們強化區域實力，但是在未來也能推動全球合作，促使國際夥伴能從區域開發所取得的突破中獲益。透過這些共同努力，我們才能真正加速創新，並推動半導體產業達到新高峰。
