英特爾(Intel)與美光(Micron)日前聯合開發全新3D NAND技術，其儲存密度可比其他NAND技術高三倍，為目前世界上最高密度的快閃記憶體。這項新的3D NAND技術以極為精準的方式垂直堆疊數層資料儲存單元，可打造比其他NAND競爭技術容量多三倍的儲存元件，在更小空間內實現更高儲存容量，進而降低成本與功耗。
美光記憶體技術與解決方案部門副總裁Brian Shirley表示，透過美光與英特爾的合作，雙方共同打造出先進的固態儲存技術，能提供相較於其他快閃記憶體技術更高密度、性能與效率。這項新的技術足以改變整個快閃記憶體市場的格局。
快閃記憶體是目前在筆記型電腦、資料中心，以及許多手機、平板電腦和行動裝置中經常被使用到的儲存技術。不過，現今的平面式(Planar)NAND快閃記憶體已接近擴展的極限，為記憶體產業帶來嚴峻的考驗；而3D NAND技術將對快閃記憶體儲存方案帶來重大影響，並使其繼續遵循摩爾定律(Moore’s Law)腳步，同時不斷提升效能與降低成本，從而擴大應用範圍。
英特爾副總裁兼非揮發性儲存解決方案事業部總經理Rob Crooke表示，藉由最新的3D NAND技術，可顯著改善密度與成本問題，並將加快固態儲存在運算平台中的應用。
據了解，英特爾與美光研發的新一代3D NAND技術最重要的特點，是其基礎儲存單元採用浮動閘單元設計，為提升性能、品質和可靠性的關鍵設計。
全新的3D NAND技術可垂直堆疊三十二層快閃記憶體單元，能夠在標準封裝內實現256Gb多層單元(MLC)和384Gb三層單元(TLC)晶片。這些容量可使口香糖大小的固態硬碟提供超過3.5TB的儲存容量，同時使標準2.5吋固態硬碟提供超過10TB的儲存容量。如此一來，該技術將有望提高產品的性能和耐用性，甚至可以使TLC設計滿足資料中心儲存的需求。
據悉，目前256Gb MLC版本的3D NAND晶片已開始向部分合作夥伴提供樣品，384Gb TLC版本的3D NAND晶片也將於今年春末開始提供樣品。這兩款元件將在今年第四季度全面投產。同時，兩家公司也正在開發基於3D NAND技術的獨立固態硬碟產品線，並預計將在明年上市。
