美商國際整流器(IR)日前擴展其封裝系列，推出新款的PQFN 2毫米×2毫米封裝，且配合IR最新的HEXFET金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)矽技術，為一系列的低功耗應用，包括智慧手機、平板電腦、攝錄機、數位相機、筆記本電腦、伺服器和網路通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示，新型的PQFN2x2元件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也滿足客戶需求，進一步縮小封裝尺寸，以結合基準矽技術。這些新元件不但擁有超小尺寸和高密度，更非常適合與高度數位化內容相關的應用。
新款的PQFN2x2元件分別適用於20伏特(V)、25伏特和30伏特，還有標準或邏輯水平柵極驅動器選擇。這些元件只需要極小的占位空間，並可採用IR最新的低電壓 N-通道和P-通道矽技術，從而達到極低的導通電阻(RDS(on))，以及等同PQFN3.3×3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。
該系列封奘組合包括為負載開關的高側而優化的P-通道元件，帶來一個更簡單的驅動解決方案。同時，新元件的厚度少於1毫米，使它們與現有的表面黏著技術兼容，並且擁有行業標準的占位空間，還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS)。
美商國際整流器網址：www.irf.com
