IR推出DirectFETplus功率MOSFET

2011 年 02 月 24 日

全球功率半導體和管理方案廠商 國際整流器公司(IR)推出DirectFETplus功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列,特別結合IR新一代的矽,為12伏特輸入同步降壓應用,包括下一代伺服器、桌上型電腦和筆記型電腦,建立了新的效率標準。


IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示,新IRF6811和IRF6894晶片組利用IR的DirectFET封裝技術,以及結合新一代的矽元件來優化關鍵的MOSFET參數,為下一代計算需求提供效能卓越、可靠性高及占位空間小的最佳解決方案。


IRF6811和IRF6894是新系列DirectFETplus的首兩款元件,較上一代元件減少導通電阻(RDS (on) )和閘電荷(Qg),使其效率大幅提高達2%。此外,該元件提供超低閘電阻 (Rg) ,透過把直流對直流(DC-DC)轉換器的開關損耗減至最少,進一步改善其效率。


IRF6811控制MOSFET及IRF6894同步MOSFET分別以小罐及中罐供貨。25伏特 DirectFETplus組結合RDS(on)和Rg,且糅合低電荷來把傳導和開關損耗減到最少。IRF6894還設有整合式單片蕭特基二極管,減少由體二極管傳導和逆向復原導致的損耗。新型DirectFETplus MOSFET與上一代元件的占位面積兼容。

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