功率半導體和管理方案廠商國際整流器(International Rectifier, IR)擴展其HEXFETR功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品系列，提供完整的中壓元件陣營。採用5毫米×6毫米PQFN封裝，並具有經過最佳化的銅夾和焊接晶片技術。
新型功率MOSFET採用了國際整流器最新的矽技術，能夠提供開關應用所需的標準效能，適用於網路和電信設備的直流對直流(DC-DC)轉換器、交流對直流(AC-DC)開關電源(SMPS)及馬達驅動開關。由於這些元件能夠支援40～250伏特的寬廣電壓，所以能夠提供不同水平的通態電阻(RDS(on))和閘極電荷(Qg)，為客戶的特定應用提供最佳化效能和實現更低的成本。
國際整流器亞洲區銷售副總裁潘大偉表示，新型元件的大小只有0.9毫米，並且具有標準接腳，可以提供高額定電流和低通態電阻。相較於需要採用多個並行元件的解決方案，具有更高的效率、功率密度和可靠性，相當適合電路板空間狹小的開關應用。
各款元件皆具有低熱阻(少於每瓦0.5℃)，又符合MSL1標準，採用的環保材料既不含鉛、溴或鹵，也符合有害物質管制指令(RoHS)。
國際整流器網址：www.irf.com
