IR新功率MOSFET提供超低導通電阻

2010 年 07 月 26 日

國際整流器(IR)推出全新HEXFET功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列,採用業界標準SOT-23封裝,並提供超低導通電阻(RDS(on)),適用於電池充電及放電開關、系統和負載開關、輕負載馬達驅動及電訊器材等應用。
 



國際整流器亞太區銷售副總裁潘大偉表示,全新的SOT-23 MOSFET系列覆蓋-30~100伏特的廣闊電壓範圍,並且提供不同水平的導通電阻及閘電荷(Qg),為追求精密、高效率及低成本解決方案的客戶,帶來更佳、更廣泛的設計選擇。
 



新款SOT-23 MOSFET元件採用了該公司最新的中電壓矽技術,藉著把導通電阻大幅減低90%來顯著改善電流處理,為客戶的特定應用最佳化性能及價格。新元件達到第一級濕度感應度(MSL1)業界標準,採用的材料不含鉛,並符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)。
 



國際整流器網址:www.irf.com

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