國際整流器公司(International Rectifier, IR)推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)晶片組，應用於12伏特輸入同步降壓，包括伺服器、桌上型和筆記簿型電腦，提供一流的效率。
IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF 25V晶片組採用IR最新MOSFET矽技術，並結合性能指數(FOM)及DirectFET封裝所具備的開關和溫度特性，成為一個為高頻率直流對直流(DC-DC)開關應用而優化的解決方案。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示，新款的IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET晶片組把低電荷及低導通電阻(RDS(on))與業界最低的閘電阻結合，使得由同步降壓轉換器的同步和控制介面所致的傳導及開關耗損減到最少。
IRF6798MPbF中罐DirectFET提供低於1毫歐姆的導通電阻，讓整個負載範圍保持極高的效率。新元件備有單片式整合式蕭特基二極體，能夠減少與體二極體傳導相關的耗損，並能反向復原耗損，加強解決方案整體的性能。IRF6798MPbF僅有0.25毫歐姆的極低閘電阻(Rg)，避免了與Cdv/dt相關的擊穿。IRF6706S2PbF小罐DirectFET也具備低電荷和低導通電阻來減少開關及傳導耗損，更為快速開關提供極低的閘電阻。
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