國際整流器(International Rectifier)宣布為一家消費性電子產品公司的家庭劇院系統，成功測試並量產供應採用其氮化鎵(GaN)功率技術平台製造的元件。
IR總裁暨執行長Oleg Khaykin表示，採用IR旗下的GaN技術平台及IP產品組合之元件進入商用出貨階段，再次成功驗證IR在功率半導體元件市場的地位，以及預示功率轉換新時代的來臨，這正好與公司旨在協助客戶節省能源的重要願景相輔相成。IR熱切期望，GaN技術對功率轉換市場的影響力能夠至少媲美IR在30年前所推出的功率HEXFET。
有關成就標誌著IR在功率管理市場的策略性優勢，藉以帶來高資本效率的元件製造模式。相比先進的矽技術，GaN技術平台能夠為客戶改進主要特定應用的性能指數(FOM)多達十倍。這次IR邁向新的里程碑，彰顯出該公司一直致力為客戶提供頂尖的功率管理技術。
這款開創先河的GaN功率元件技術平台，是IR經過10年的時間，基於其專有矽上GaN磊晶技術進行開發及研究的成果。該高生產量的150毫米(mm)矽上GaN磊晶和相關的元件製造程序，能夠全面與IR具備成本效益的矽製造設施配合，為客戶提供世界級的商業可行性GaN功率元件製造平台。
國際整流器網址：www.irf.com
