IR發表DirectFET MOSFET高效晶片組

2010 年 12 月 17 日

國際整流器(IR)日前推出IRF6708S2及IRF6728M 30伏特(V)DirectFET金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)晶片組,特別為講求成本的19伏特輸入同步降壓應用,例如筆記型電腦而設計。
 



IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示,IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐元件可減少零件數量達30%,所以能夠大幅降低整體系統成本。此類新款的DirectFET MOSFET備有低電荷和低導通電阻–RDS(on),從而盡量減少傳導及開關損耗。IRF6728M並且擁有單片型整合式蕭特基二極管(Schottky),可以降低與體二極管導通和逆向復原相關的損耗。
 



IRF6708S2及IRF6728M具備IR最新一代30伏特MOSFET矽產品。這些新元件除了擁有低RDS(on)和低電荷,也善用DirectFET封裝的低寄生電阻電感和卓越的散熱效能,新元件符合電子產品有害物質管制規定(RoHS),現已接受批量訂單。

 



國際整流器網址:www.irf.com

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