國際整流器(IR)推出一系列新型HEXFET功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，當中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。這些新功率MOSFET具備IR最先進的矽技術，亦是該公司首批採用5毫米×6毫米PQFN封裝，並配備經優化的銅鉗和焊接晶片的元件。
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| IRFH6200TRPbF提供業界最低導通電阻，此新功率MOSFET適用於ORing和馬達驅動應用。 |
IRFH6200TRPbF 20伏特元件提供領先業界的(RDS(on))，在4.5伏特Vgs下最高也只為1.2毫歐姆(mΩ)，有助手動工具等直流電(DC)馬達驅動驅動應用顯著減低傳導損耗。該公司亞洲區銷售副總裁潘大偉表示，國際整流器透過新一代矽技術與PQFN封裝技術結合，推出性能超卓的新MOSFET系列。此外，將按產品發展路徑，在未來數月推出廣闊的PQFN基準MOSFET產品陣營回應客戶訴求。
25伏特IRFH5250TRPbF和30伏特IRFH53xxTRPbF這兩款元件都是為DC開關應用如要求高電流承載能力和高效率的有源ORing及DC馬達驅動應用而設計。IRFH5250TRPbF具備極低的RDS(on)，最高只有1.15毫歐姆，且閘電荷(Qg)僅為52nC。至於IRFH5300TRPbF的RDS(on)則最高只有1.4毫歐姆，而Qg就有50nC。
此外，如果設計採用IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF元件，不單能夠擁有卓越的溫度性能，還可以在指定的功率損耗下，比現有的解決方案使用較少的零件，有助節省電路板空間及成本。所有這些新元件都具備低溫度電阻(<0.5°C/W)，兼且達到第一級濕度感應度(MSL1)業界標準。它們也不合鉛、溴化物和鹵素，符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)。
國際整流器網址：www.irf.com
