第四代雙倍資料率(DDR4)標準正式出爐。聯合電子裝置工程協會(JEDEC)公布動態隨機存取記憶體(DRAM)DDR4版本，新規格較DDR3具備更高的傳輸速率、可靠度和更低的功耗，可望一舉推升相關記憶體裝置效能。
JEDEC JC-42.3 DRAM小組委員會總召Joe Macri表示，市場上對高頻寬、高效能的DRAM規格需求日益升高，因而在全球記憶體裝置、系統、零組件和模組供應商共同催生下，JEDEC的DDR4標準因應而生。新標準除能提升下一代記憶體系統效能外，更能提高封裝密度、穩定性和降低功耗，進而為終端設備增加利多。
據了解，納入DDR4標準的DRAM，不僅整體架構較DDR3標準更為簡化，並可運用於企業級設備中，可用範圍擴及伺服器、筆電、桌機、個人電腦(PC)和消費性電子等應用，且運作效能更快速。
同時，根據JEDEC公布的DDR4標準，DRAM每接腳的資料傳輸速率為1.6～3.2GT/s，並在基於DDR3已超過原本設定的1.6GT/s之下，推估未來若DDR4標準陸續推出更新版本，DDR4的資料傳輸率可望再創高峰。
除具備高資料傳輸率外，DDR4於DQ匯流排(Bus)上納入偽開漏極(Pseudo Open Drain)介面，並在Geardown模式中，每DQ匯流排的傳輸速率為2,667MT/s以上，且具有資料組(Bank Group)架構，以及內部產生的VrefDQ和進階的訓練模式。
值得一提的是，DDR4架構係由兩個或四個資料組所組成的8n預取架構(Prefetch)，此設計可讓DDR4記憶體裝置，在每個獨特的資料組之下，能獨立啟動(Activation)、讀、寫或更新操作，因而可有效增進記憶體的效能和頻寬，尤其是在使用小顆粒記憶體時，運作效能特別突出。
此外，DDR4的堆疊記憶體設計亦非常吸睛；採用DDR4標準，能在單一訊號載入時，堆疊超過八個記憶體裝置。
三星電子(Samsung Electronics)記憶體產品規畫、應用工程及裝置解決方案資深副總裁Byungse So指出，跟著JEDEC制定完成的DDR4規格，三星電子將能提供更高效能、低功耗的DRAM產品，並支援最先進的運算模組解決方案，藉以增進下一代高品質綠能IT系統的發展。
