LSI宣布提供伺服器和外部存儲原始設備製造商(OEM)業界首批12Gb/s SAS RAID單晶片(Raid-on-Chip, ROC)、控制器及擴充器IC樣品，進一步鞏固LSI在SAS市場的地位。
藉由提供客戶12Gbit/s SAS晶片的初期樣品，LSI為這項關鍵技術邁向全新里程碑，同時也為預計於2012年中，參加SCSI商業協會(SCSI Trade Association)12Gbit/s SAS測試和互操作性檢測活動奠定基礎。
IDC存儲與半導體事業群副總裁Dave Reinsel表示，12Gbit/s SAS技術將存儲分級效能提升到前所未有的水準，使企業應用從高效能固態存儲擴展至大型資料中心橫向擴充架構。早期晶片供應是推動12Gbit/s SAS基礎架構發展的首要關鍵一步，同時也為技術過渡時期和2013年底產品上市鋪平道路。
12Gbit/s SAS 資料傳輸速率為6Gbit/s SAS解決方案的兩倍，可讓使用單個主機匯流排轉接卡的SAS基礎架構，提供超過PCIe 3.0的頻寬。改善後的頻寬效能在 I/O處理功能的支援下，可達到最高鏈結利用率，以擴充傳統硬碟，並可增進固態硬碟(SSD)的效能。為保護客戶既有IT投資，12Gbit/s設計架構可向後相容3Gbit/s和6Gbit/s SAS基礎架構。
在新一代12Gbit/s解決方案中，SAS擴充器能同時為傳統硬碟和固態儲存提供更高的傳輸量並可支援更多的連接埠數量，大幅提高虛擬化、分級存儲及數位內容配銷等應用的存儲整合度。LSI RAID存儲元件事業部資深副總裁Bill Wuertz表示，LSI的SAS元件出貨量已經超過兩千五百萬件，且12Gbit/s SAS RAID單晶片效能高於100萬IOPS，足以證明LSI在SAS市場的領導地位當之無愧。透過提供OEM客戶業界首批12Gbit/s SAS元件樣品，再次展現LSI的卓越技術，引領客戶走在業界最前端。
LSI網址：www.lsi.com
