值此長程演進計畫(LTE)電信營運商如火如荼展開商業營運部署之際，晶片商亦加緊市場拓展步伐，繼高通(Qualcomm)、ST-Ericsson等晶片大廠之後，思寬亦針對LTE終端裝置推出多款解決方案，並與富士通半導體合作，積極插旗LTE市場。
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| 思寬中國區總經理商德明表示，LTE已為大勢所趨，將成為思寬加碼部署的重點市場。 |
思寬(Sequans)中國區總經理商德明表示，儘管2012年全球微波存取互通介面(WiMAX)市場仍在成長，現階段仍為思寬主要獲利的來源，然觀察到全球LTE的運營商對於LTE終端裝置的需求量正急速擴大，LTE亦已成為思寬主力產品線。
隨著中國移動、Softbank、Airtel、Reliance、AT&T、NTT DoCoMo、沃達豐(Vodafone)、Verizon等電信運營商緊鑼密鼓地展開商業營運部署，LTE市場規模正快速擴大。商德明預期，2013年LTE終端裝置的數量將會凌駕於WiMAX之上，最快至2012年，思寬LTE晶片產品線的營收貢獻將可能會大於WiMAX，屆時，思寬的產品線比重將會再進行調整。
面對高通(Qualcomm)、意法易立信(ST-Ericsson)、博通(Broadcom)等競爭對手憑藉強大的專利核心技術已建立起難以跨越的防線，思寬如何在市場中突圍，對此，商德明指出，思寬除將透過支付競爭對手權利金取得開發LTE的核心技術之外，該公司藉由過去在WiMAX累積的技術基礎，已擁有開發LTE所需的正交頻分頻多工(OFDM)與多重輸入多重輸出(MIMO)兩大技術，並成功開發出融合4G與3G的產品，以及與分時(TD)和分頻雙工(FDD)LTE運營商展開密切合作，將可望站穩市場一席之地。
近期，思寬部署LTE動作頻頻，除與富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)達成協議，建立技術與行銷合作關係；亦推出下一代採用40奈米製程開發的FDD與TD LTE晶片與LTE平台。
思寬與富士通半導體的策略結盟，旨將富士通半導體的多模2G/3G/LTE射頻(RF)解決方案與思寬新推出的下一代LTE基頻解決方案結合，為客戶提供高性能的LTE綜合產品組合。富士通半導體RF收發器支援包括LTE頻段在內的全球各主要頻段與模式，思寬將把該RF收發器與自身的LTE晶片進行整合並對其展開充分驗證。
此外，思寬已發表三款新FDD與TD LTE基頻晶片，一款配套RF晶片與兩款新LTE平台，其中，Andromeda平台專為手持式裝置及平板裝置設計，而Mont Blanc平台專為行動熱點(Hotspot)、通用序列匯流排(USB)與用戶端設備(CPE)數據機量身設計。該三款晶片皆採用40奈米互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程技術設計，可實現低耗電量與高性能，並採用微型封裝。
