半導體製造商羅姆(ROHM)開發出650V耐壓、內建SiC蕭特基二極體的IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65C系列」(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR)，且均符合汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101」。該產品適用於電動車(xEV)充電器和DC/DC轉換器，以及太陽能發電用的功率穩壓器等，處理大功率的車電裝置和工控裝置。
近年來，在全球「無碳社會」和「碳中和」等環保風潮中，電動車(xEV)得以日益普及。為了進一步提高系統效率，各種車電裝置的逆變器，以及轉換器電路中使用的功率半導體等，也出現了多樣化需求，超低損耗的SiC功率元件(SiC MOSFET、SiC SBD等)，和傳統的Si功率元件(IGBT、SJ-MOSFET等)也都正持續大幅度的技術革新。
ROHM致力於為廣泛應用提供有效的電源解決方案，不僅專注於SiC功率元件，更積極研發Si功率元件和驅動IC的技術及產品。本次就開發出了能為車電、工控裝置提供更高CP值的Hybrid IGBT。
「RGWxx65C系列」是Hybrid型IGBT產品，在IGBT*2的回流單元(飛輪二極體)中採用了ROHM的低損耗SiC蕭特基二極體(SiC SBD)，成功降低了傳統IGBT產品導通時的切換損耗(以下稱導通損耗)。本產品使用在車電充電器時，與傳統IGBT產品相比，損耗可降低67%，與SJ-MOSFET相比，損耗可降低24%，有助以更高的CP值進一步降低車電和工控裝置應用的功耗。
