隨著中央處理器(CPU)的供電設計主流轉移至高相位數設計，金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)市場也呈現爆炸性成長。近年來在類比元件領域著墨甚深的德州儀器(TI)，藉由購併Ciclon，補足電源產品線中的MOSFET缺口，同時也宣告將進軍原本競爭就已相當激烈的個人電腦(PC)電源市場。
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| 德州儀器電源產品亞洲區市場開發協理羅偉表示，TI購併Ciclon取得MOSFET技術後，電源管理產品線涵蓋面向更周延，也替未來的整合埋下伏筆。 |
德州儀器電源產品亞洲區市場開發協理羅偉表示，隨著英特爾(Intel)等供應商的產品不斷推陳出新，CPU電源設計的規範也持續演進，導致高相位數設計迅速成為市場主流。如華碩、技嘉等旗艦級主機板產品的供電相數均已超過24相，一般主流主機板的相位數也提升到6相。根據Databeans的數據，2009年低電壓MOSFET的市場規模可達40億美元。
就整個MOSFET市場的生態來看，不僅供應商眾多，且高低階市場各有土洋廠商環伺，如快捷(Fairchild)、國際整流器(IR)、意法半導體(ST)占有高階市場，立錡、茂達等則盤據低階市場。針對如何從大廠與本土供應商包夾中突圍，羅偉認為，創新架構與回應價格壓力的能力，是在MOSFET市場中立足的關鍵。TI購併自Ciclon的MOSFET架構是一種名為NexFET的創新架構，與市場上眾多供應商所採用的溝槽式架構不同。NexFET具有低導通電阻、低閘極電容特性，與溝槽式架構相比，其導通電阻特性相似，但閘極電容可降低50%以上，因此性能更優異。
而在成本方面，由於TI採用雙面散熱結構封裝設計，因此元件散熱性能更佳，可承受電流量也更大，客戶只須用一顆元件便可實現低側(Low Side)設計。相較於目前大多數主機板均採用一高二低架構，其成本優勢不言可喻。羅偉宣稱，TI的MOSFET元件頂部熱阻每瓦僅攝氏1.2度，且MOSFET可承受的電流量可達35安培。
展望未來，羅偉相當看好MOSFET與驅動器(Driver)整合成單一元件，亦即所謂Dr.MOS的趨勢，並表示TI日後也會推出符合Dr.MOS規範的產品。
