貿澤電子(Mouser)即日起開始供應NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS電晶體。MRFX1K80H屬MRFX系列的射頻(RF)MOSFET電晶體產品之一，採用最新的橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術。MRFX1K80H採用的LDMOS技術有助於提高寬頻應用的輸出功率，同時維持適當的輸出阻抗。
貿澤電子所供應的NXP MRFX1K80H LDMOS電晶體，能在65 V下提供1800 W連續波，適用於1.8至470 MHz的射頻應用，在所有相位角度下提供65:1的電壓駐波比(VSWR)。此裝置提供50歐姆的阻抗匹配，有助於縮短整體開發時間。
MRFX1K80H專為30V至65V的延伸功率範圍所設計，具有高崩潰電壓，可靠度更高，效率更為優異。系統電壓提高，電流下降，可限制對DC電源供應器造成的應力，進而減少磁輻射。裝置提高輸出功率，亦有助於降低合併的電晶體數量，同時簡化功率放大器的複雜度，並降低整體大小。
MRFX1K80H適用於具有適當偏差的線性應用，提供整合式靜電放電(ESD)防護，改善C類放大器的運作。MRFX1K80H的目標應用包括工業、科學與醫療 (ISM)應用，以及廣播、航太與行動無線電設備。
