隨製程技術下探25奈米，儲存型快閃(NAND Flash)記憶體將面臨讀寫次數短縮的問題，必須提升錯誤碼修正(ECC)能力來化解疑慮。對此，美光(Micron)提出不同產品設計架構，將自行開發的ECC晶片與NAND Flash封裝在一起，藉此強化NAND Flash方案使用壽命，同時減輕控制晶片開發商的發展負擔。
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| 美光資深亞太區區域市場經理葛玉中表示，ClearNAND是解決NAND Flash製程微縮挑戰的權宜之計。 |
美光NAND解決方案部門副總裁Glen Hawk表示，相較於控制晶片中其他的演算法，ECC功能與NAND Flash的效能最為密切，因此美光跳脫以往NAND Flash廠商僅專注於晶圓技術的思維，自行研發ECC單晶片，藉由改變產品設計的方式，因應製程進入25奈米世代後所面臨的挑戰。
美光資深亞太區區域市場經理葛玉中進一步指出，這種名為ClearNAND的產品係將控制晶片中的ECC演算法單獨開發成一顆單晶片，再透過多晶片封裝(MCP)技術與NAND Flash整合。如此一來，控制晶片設計業者就毋須為了解決NAND Flash製程微縮的挑戰而絞盡腦汁，甚至拖長晶片上市時程。
原本NAND Flash系統是由控制晶片和NAND兩個獨立的元件所組成，並透過匯流排互相傳遞訊號。雖然先進製程為NAND Flash帶來低成本和高容量的優勢，但縮小的晶格卻減少電子可活動的空間，使彼此干擾的頻率增加，導致NAND Flash壽命縮減，因而須透過ECC功能來管理晶格內的電子訊號。
其實，早在ClearNAND之前，嵌入式多媒體記憶卡(eMMC)也採用相似的概念，將部分控制晶片功能封裝在NAND Flash之中。不過，除ECC功能之外，eMMC還一併納入壞軌管理(Bad Block Management)、平均抹寫儲存區塊次數(Wear Leveling)和指令管理功能。葛玉中說明，eMMC將較多功能與NAND Flash整合，確實對系統效能有所幫助，但ClearNAND對功能整合的取捨相對精簡，可避免NAND Flash封裝內產生過多的負擔。
美光估計，2014年採用ClearNAND的產品可望超過純粹使用NAND以及類似eMMC涵蓋完整晶片功能的NAND產品，在NAND Flash市場達近50%的市占率。葛玉中表示，ClearNAND將是第一個進入市場的25奈米NAND Flash產品，鎖定企業伺服器、平板裝置，以及可攜式媒體播放器等應用市場，目前已經提供樣本，預計在2011上半年開始量產。
值得注意的是，ClearNAND中的ECC技術是來自美光的控制晶片開發團隊，主要研發應用於控制晶片中的矽智財(IP)，其中包括ECC、韌體及訊號處理功能。但葛玉中強調，此舉並不代表美光將搶進控制晶片市場，美光將以授權矽智財的模式與控制晶片商合作。Hawk也表示，使用ClearNAND的原始設備製造商(OEM)仍可依產品需求，與第三方控制晶片開發商合作。
