NS推出高訊號調節低功耗10Gbit/s中繼器

2011 年 02 月 09 日

美國國家半導體公司(NS)日前推出三款多通道PowerWise 10Gbit/s中繼器,其特點是具有業界產品中最高的36dB等化增益,每通道僅55毫瓦(mW)的功耗也比目前市場上其他解決方案少一半,還可延長一倍的電纜長度,以24-AWG電纜為例,傳送距離可長達20公尺。
 



美國國家半導體10Gbit/s中繼器系列晶片採用該公司的第三代矽鍺(SiGe) BiCMOS製程技術製造,具有「接收等化」和「發送數位式波形還原」兩種功能,可為資料中心及高效能通訊系統提供通道損耗補償,也就是說這系列中繼器晶片可以延長電纜的傳送距離而且將資料頻寬提高至10.3125Gbit/s,因此適用於符合10GbE、Fibre Channel、XAUI、CPRI和Infiniband等串列傳輸協定的高速主動式電纜組件及FR-4背板。此外,這幾款中繼器也可支援儲存系統的SAS/SATA外頻(OOB)訊號傳輸功能。 




採用美國國家半導體10Gbit/s中繼器的主動式銅導線互連方案的功耗只有市場上其他線路互連方案的四分之一,而電纜傳送距離則可延長兩倍。美國國家半導體此系列中繼器能夠有這樣的優勢是因為採用全新的矽鍺(SiGe)BiCMOS製程製造,使其中的電晶體可以支援較高的頻寬、產生較少雜訊及大幅減少訊號抖動和功耗。4通道的DS100BR410晶片適用於高密度的連接器如QSFP和CXP,而DS100BR111晶片則適用於單通道的SFP+連接器。
 



DS100BR410晶片內含四條單向通道,每通道功耗只有55毫瓦而且只需一個2.5伏特的電源供應。由於這款晶片可以透過接收等化功能將訊號增強至多到36dB,而發送數位式波形還原功能則可將訊號減弱9dB,使系統可為每一個通道的損耗提供補償,因此這款晶片可以延長電纜的傳送距離,讓工程師為系統選擇電纜時有更大的靈活性。
 



DS100BR410晶片採用48接腳的無引線LLP封裝,大小只有7毫米×7毫米,採購以千顆為單位,單顆售價為13美元,現已開始量產供貨。DS100BR210及DS100BR111兩款晶片都採用24接腳的LLP封裝,採購都以千顆為單位,單顆售價同為6.95美元,且於2011年3月初開始樣品供應。
 



美國國家半導體網址:www.national.com

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