恩智浦(NXP)日前宣布，該公司於美國亞利桑那州建造的150毫米射頻氮化鎵(RF GaN)晶圓廠已正式啟用。該晶圓廠為專門製造5G RF功率放大器的晶圓廠，可望支援工業、航太及國防等領域進一步擴展5G基地台及蜂巢式通訊基礎設施。NXP對此表示，該晶圓廠現已通過認證，且初期產品於市場中逐漸增加，該公司預計該晶圓廠於2020年底時產能將開到最大。
恩智浦執行長Kurt Sievers表示，隨著5G的發展，各個天線所需的射頻解決方案已出現指數級成長的趨勢，但伴隨而來的條件則是必須維持相同尺寸並盡可能將功耗降至最低。以GaN這類功率半導體(Power Transistor)來說，其已經符合新興產業標準，在功率密度及效率方面皆能大幅提升。而NXP透過專注於GaN技術的研發，希望可進一步驅動下一代5G基礎設施的發展。
NXP本次舉措是藉由建造自有的GaN晶圓廠，進一步以蜂巢式基礎架構設計實現量產並維持產品品質的穩定，同時也達到更高的性能表現。該公司表示，該晶圓廠將作為創新研發據點，促成晶圓廠及研發團隊之間的協同運作，可望藉由更快速開發、驗證及保障現今與未來GaN設備的發明，進而縮短GaN技術革新的時程，朝向下一代5G蜂巢式技術邁進。
