NXP/台積電推出車用16奈米FinFET嵌入式MRAM

2023 年 05 月 18 日

恩智浦半導體(NXP)宣布與台積電(TSMC)合作,推出業界首款採用16奈米(nm)鰭式場效電晶體(FinFET)技術的車用嵌入式磁阻式隨機存取記憶體(Magnetic Random Access Memory, MRAM)。

隨著汽車製造商朝向軟體定義汽車(SDV)轉型,車廠需要在單一硬體平台上支援多世代軟體更新。結合恩智浦的高效能S32車用處理器與採用16奈米FinFET技術的快速且高度可靠下一代非揮發性記憶體(Non-volatile Memory),就能提供支援這類轉變的理想硬體平台。

MRAM只要約略3秒就能更新20MB的程式碼,相較於快閃記憶體需約1分鐘,這能最大限度縮短軟體更新導致的停機時間,並讓汽車製造商消除因長時間模組編程而造成的瓶頸。此外,MRAM還能提供高達百萬次的更新週期,較快閃記憶體和其他新興記憶體技術高出10倍,為車輛任務剖面(Mission Profile)提供高度可靠的技術。

軟體定義汽車讓汽車製造商能夠透過空中下載(OTA)更新推出全新的舒適、安全以及便利功能,延長車輛使用壽命並提升其功能性、吸引度、與獲利能力。隨著基於軟體的功能在車輛中越趨普及,更新頻率將會增加,MRAM的速度和穩健度變得極為重要。

台積電的16 FinFET嵌入式MRAM技術憑藉其百萬週期耐用度、支援銲錫迴焊(Solder Reflow)、以及攝氏150度下還能保留數據達20年,超越車載應用嚴格要求。

測試車輛樣品已完成並正在評估階段。初期產品樣品預計於2025年初提供給主要客戶。

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