新電子2020年1月號406期 - 訂雜誌 - 新電子科技雜誌 Micro-electronics


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新電子 2020 年 1 月號 406 期
高速運算添新「憶」
AI、5G、IoT和工業4.0等應用讓資訊量呈現爆炸式的成長,龐大的資料量不僅帶來更高容量的儲存需求;同時因應高速運算,記憶體還具備更快的資料讀取速度。面對更多、更快、更低功耗的資料存取要求,DRAM、SRAM和NAND Flash等傳統記憶體已逐漸遇到瓶頸,因此,新興記憶體如磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、鐵電隨機存取記憶體(FRAM)、電阻式隨機存取記憶體(RRAM)和相變隨機存取記憶體(PCRAM)等便相繼興起。 例如MRAM可以整合於物聯網晶片設計的後端互連層,進而實現更小的晶粒尺寸,並降低成本;而FRAM、RRAM、PCRAM等則能透過更高的效能與低延遲優化資料中心工作負載,實現更多雲端運算應用,為此,半導體產業紛紛開始加快新興記憶體布局。
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