PI發布突破性1,250V GaN切換開關IC

2023 年 11 月 14 日

Power Integrations發布電壓最高的單切換開關氮化鎵(GaN)電源供應器IC,其配備1,250伏特的PowiGaN切換開關。

InnoSwitch 3-EP 1250 V IC是Power Integrations的InnoSwitch系列離線式CV/CC QR返馳式切換開關IC的最新成員,具有同步整流、FluxLink安全絕緣回授和一系列切換開關選項:725V矽、1,700V碳化矽以及750V PowiGaN、900V PowiGaN和1,250V PowiGaN(目前種類)。

Power Integrations專有的1,250V PowiGaN技術的切換損失不到相同電壓下同等矽裝置的三分之一。這使得功率轉換效率達93%,實現了極輕薄小巧的返馳式電源供應器,在沒有散熱片的情況下可提供達85W的功率。

Power Integrations技術副總裁Radu Barsan表示,Power Integrations繼續推進高壓GaN技術開發和商業部署的最新技術,即使是最佳的高壓矽MOSFET在這一過程中也會淘汰。2019年,Power Integrations率先將採用GaN技術的電源供應器IC大批量推向市場,並於今年早些時候推出了採用GaN技術的900伏特版本的InnoSwitch產品。該公司正在不斷開發更高電壓的GaN技術,此處以新的1,250V裝置為例,將GaN的效率優勢擴展到更廣泛的應用領域,包括目前由碳化矽技術提供服務的許多應用。

使用新型InnoSwitch3-EP 1250 V IC的設計師可以安心指定1,000V的工作峰值電壓,這允許從1,250V的絕對最大值降低80%的產業標準額定值。這為工業應用提供了顯著的餘裕空間,在具有挑戰性的電力網環境中尤其有價值,在這些環境中,穩定性是抵禦電力網不穩定、突波和其他功率擾動的重要防禦措施。

樣品現已上市;1,250V InnoSwitch3-EP IC的批量出貨交付時間為16週。INSOP-24D封裝中InnoSwitch3-EP 1,250V裝置的起步單價為3.00美元,每次訂購數量為10,000件。

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