確保與IBM合作有成 聯電緊握14/10nm主導權

聯電近期與IBM簽訂合作計畫,全力衝刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)製程量產。不過,聯電也不忘記取當初發展0.13微米時,授權IBM方案卻面臨量產窒礙難行,反遭台積電大幅超前進度的教訓;此次在14/10奈米的合作僅將採用IBM基礎技術平台與材料科技,並將主導大部分製程研發,以結合先進科技和具成本效益的量產技術,避免重蹈覆轍。 ...
2013 年 08 月 13 日

鎖定大陸IC設計市場 台積/格羅方德再掀28nm熱鬥

台積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)的28奈米製程戰火將擴大延燒。中國大陸IC設計業者為搶進行動裝置市場,紛紛投入28奈米晶片開發。瞄準此一商機,台積電與格羅方德均積極展開擴產,並致力強化技術支援能力,以爭取大陸IC設計業者青睞。
2013 年 08 月 12 日

專訪亞德諾亞太區儀表市場經理葉裕民 消費性可攜式化學分析儀走紅

消費性可攜式化學分析儀需求正快速增溫。隨著人們對環境和食品安全日益重視,可檢測有毒氣體及化合物的化學分析儀已開始走出實驗室,邁向大眾化市場,並朝向低功耗且低成本的可攜式產品設計,包括量測儀器大廠和類比混合訊號晶片商皆已大舉投入布局。
2013 年 08 月 12 日

搞定晶圓貼合/堆疊材料 3D IC量產製程就位

三維晶片(3D IC)商用量產設備與材料逐一到位。3D IC晶圓貼合與堆疊製程極為複雜且成本高昂,導致晶圓廠與封測業者遲遲難以導入量產。不過,近期半導體供應鏈業者已陸續發布新一代3D IC製程設備與材料解決方案,有助突破3D...
2013 年 08 月 12 日

拓展大陸市場有成 聯電Q2營收/毛利雙報喜

聯電第二季續創佳績。繼第一季以40奈米(nm)先進製程,刺激毛利率顯著回溫後,聯電第二季因成功掌握一波亞太區IC設計業者對28奈米和特殊製程的需求,營收和毛利率皆再上層樓,分別季增14.8%和3.2%,且產能利用率亦從上季的78%攀升至85%;預估此一成長動能可望延續至今年第三季,並帶動晶圓出貨片數再提高3~4%,而營收表現也將微幅加溫。 ...
2013 年 08 月 09 日

專訪台積電先進元件科技暨TCAD部門總監Carlos H. Diaz 台積電將全面翻新晶圓製程

台積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優化處理器性能並改善電晶體漏電流問題,台積電除攜手矽智財(IP)業者,推進鰭式電晶體(FinFET)製程商用腳步外,亦計畫從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手,加速實現三維晶片(3D...
2013 年 08 月 08 日

FinFET複雜度破表 半導體設備商投資不手軟

鰭式電晶體(FinFET)製程將帶動新一波半導體設備投資熱潮。由於FinFET導入立體式電晶體結構,使得晶圓製程中的蝕刻和缺陷檢測複雜度較以往大幅攀升,因此包括科林研發(Lam Research)和東京威力科創(TEL)等半導體設備大廠已積極加碼研發支出,甚至發動購併攻勢,以強化設備性能,滿足FinFET製程要求。 ...
2013 年 08 月 08 日

導入ITO替代材料 宸鴻強化低價觸控戰力

宸鴻將大舉擴充低價觸控產品陣容。今年第二季高階行動裝置和觸控筆電銷售「倒退嚕」,促使宸鴻加緊轉進低價觸控市場,並將於今年下半年以奈米銀線(Silver Nanowire)和金屬網格(Metal Mesh)取代昂貴的氧化銦錫(ITO)導電材料,同時建置5~6吋奈米銀薄膜,以及中大尺寸金屬網格單片玻璃(OGS)產線,搶搭低價行動裝置發展熱潮。 ...
2013 年 08 月 08 日

強推四核/八核方案 聯發科引爆多核戰

聯發科將點燃新一波多核心處理器戰火。為持續拓展行動裝置和電視品牌客戶,聯發科除規畫在2013年底發表下世代手機用八核心處理器,以及平板四核心整合型系統單晶片(SoC)外,並將於2014年搶推新款支援4K×2K顯示規格的智慧電視(Smart...
2013 年 08 月 05 日

瞄準16/14nm檢測需求 漢微科明年產能翻三倍

半導體電子束檢測(E-beam Inspection)設備龍頭漢微科正全速擴產。繼28和20奈米(nm)之後,2015年晶圓代工廠紛紛跨入16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)世代,對高解析度的電子束檢測設備需求將更加強勁,因而帶動漢微科提早展開布局,將於2013~2014年投入新台幣10億元擴建新廠房,並於2014下半年正式投產,挹注三倍設備產能。 ...
2013 年 08 月 02 日

生態系統日益健全 藍牙4.0風靡穿戴式電子

藍牙(Bluetooth)4.0將全面進駐穿戴式電子設計。穿戴式電子訴求與行動裝置無縫連結,在iOS、Android和Windows等主流作業系統陸續支援藍牙4.0功能後,新一代行動裝置將大舉導入藍牙3.0/4.0雙模Smart...
2013 年 07 月 31 日

集中火力攻FinFET 聯電確定不玩20奈米

聯電將跳過20奈米(nm)製程節點,全力卡位14奈米鰭式電晶體(FinFET)市場。由於20奈米研發所費不貲,加上市場需求仍不明朗,因此聯電已計畫在量產28奈米後,直接跨過20奈米節點,加速挺進更具投資效益的14奈米FinFET世代,以與台積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。 ...
2013 年 07 月 30 日
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