Si/SiC/GaN各擅勝場　功率開關元件選用要仔細

電源轉換器所使用的功率開關元件一直以來都採用矽(Si)半導體材料為主，但是隨著越來越多苛刻的應用與需求，矽半導體材料發展也趨近於材料本身的極限，使得矽功率開關元件已經無法完全符合需求。為了符合電源轉換器設計的需求，近年來寬能隙材料諸如碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)應運而生並且已被成功地商品化，本文探討電源轉換器設計者應該是沿用矽功率開關元件，還是轉而選用寬能隙功率開關元件，先由矽和寬能隙材料的特性進行比較，再進入討論CoolMOS，CoolSiC和CoolGaN的應用和定位，提供設計人員參考來選擇合適的功率開關元件。
2019 年 12 月 09 日

推升大功率電源轉換器能效　新GaN功率開關鋒芒畢露

採用GaN HEMT可使電源轉換器的效率增加，對於大功率電源轉換器在能源節省方面有極大助益，並提升終端產品效能。
2019 年 05 月 09 日

矽材料已近物理極限急尋接班　寬能隙GaN表現優異可望出線

使用矽(Silicon)材料的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)元件於1960年代問世，到了1998年以超接面(Super Junction)技術為主的功率晶體被開始使用，數十年來矽的功率晶體對電子產業的影響甚鉅，但到了今日，矽材料作為功率元件也接近物理開發極限，而相關從業人員早已考量寬能隙材料(Wide...
2019 年 03 月 28 日
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