Si/SiC/GaN各擅勝場 功率開關元件選用要仔細

電源轉換器所使用的功率開關元件一直以來都採用矽(Si)半導體材料為主,但是隨著越來越多苛刻的應用與需求,矽半導體材料發展也趨近於材料本身的極限,使得矽功率開關元件已經無法完全符合需求。為了符合電源轉換器設計的需求,近年來寬能隙材料諸如碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)應運而生並且已被成功地商品化,本文探討電源轉換器設計者應該是沿用矽功率開關元件,還是轉而選用寬能隙功率開關元件,先由矽和寬能隙材料的特性進行比較,再進入討論CoolMOS,CoolSiC和CoolGaN的應用和定位,提供設計人員參考來選擇合適的功率開關元件。
2019 年 12 月 09 日

推升大功率電源轉換器能效 新GaN功率開關鋒芒畢露

採用GaN HEMT可使電源轉換器的效率增加,對於大功率電源轉換器在能源節省方面有極大助益,並提升終端產品效能。
2019 年 05 月 09 日

矽材料已近物理極限急尋接班 寬能隙GaN表現優異可望出線

使用矽(Silicon)材料的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)元件於1960年代問世,到了1998年以超接面(Super Junction)技術為主的功率晶體被開始使用,數十年來矽的功率晶體對電子產業的影響甚鉅,但到了今日,矽材料作為功率元件也接近物理開發極限,而相關從業人員早已考量寬能隙材料(Wide...
2019 年 03 月 28 日

氮化鎵電晶體添柴加薪 無線充電功率密度更進一步

無線充電的實現使得手持式裝置得以捨棄傳統電源適配器或充電器的接頭與冗長的電源線。雖然這項技術已存在一段時日,而且有些智慧型手機也已經支援無線充電功能,目前也被應用開發在平板式裝置與筆記型電腦,可以預期在接下來的幾年,無線充電也會被逐漸廣泛使用在其他應用之上。本文將說明氮化鎵(GaN)電晶體優於金氧半電晶體(MOSFET),應用在無線充電的兩個常用之功率放大拓撲。
2019 年 02 月 27 日

有效提升元件功率密度 寬能隙材料成節能減碳新寵兒

近年來,由於節能環保的觀念日益提高,在資源有限的現實環境之下,各國政府及相關機構也因應制定出相關獎勵辦法及限制法規,積極發展綠色能源。諸如相關應用之太陽能、電動車、充電站等設備,仍須仰賴高效率之電源轉換器,使裝置能發揮最佳的效能。
2018 年 02 月 08 日

提升零電壓導通功率晶體可靠度 本體二極體硬截止波形不容忽視

零電壓切換(2VS)架構具有高轉換效率及低電磁干擾的特性,廣為工程師所採用,目前被廣為使用的零電壓切換電路架構有三:主動箝位順向式轉換器、相移全橋式轉換器,以及LLC共振式轉換器,然而無論是何種電路架構,對於零電壓切換的功率晶體而言,必然存在功率晶體進行切換的四個過程。
2016 年 10 月 10 日