克服電晶體縮小化瓶頸 超淺層結合區形成技術

邏輯元件持續朝高速度與低耗電進化,高速度的邏輯元件須仰賴足夠高的電晶體飽和汲極電流與低閘極電容;低耗電量則須仰賴更低的電晶體漏電流...
2004 年 10 月 01 日