導入H型橋式拓撲架構 1,700V IGBT提升轉換效能

絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)模組可望大幅提升比價比。因應市場愈來愈激烈的價格競爭,IGBT模組開發商研發出採用H型橋式拓撲電路架構的新一代1,700V解決方 案,不僅體積較市面上既有產品更加小巧,且轉換效率和耐用性也相對出色,已快速在市場上嶄露頭角。
2013 年 11 月 18 日