EDS分析應考量輕元素吸收效應 碳/氮/氧低能量X光易被吸收(1)

在進行TEM/EDS成分分析時,特別是涉及碳、氮、氧等輕元素時,低能量X光被吸收的效應仍然相當明顯,而且被吸收的量會隨著試片厚度的變化而改變。必須藉由某些特殊的校正技術,才能重新拉回準確度。 隨著半導體技術的不斷演進,奈米區域成分分析在新製程開發中的重要性日益突顯。透過透射電子顯微鏡/能量分散光譜(TEM/EDS)技術,研究人員能夠深入鑑定奈米區域的成分資訊。然而,在進行TEM/EDS成分分析時,特別是涉及碳、氮、氧等輕元素時,低能量X光被吸收的效應仍然相當明顯,而且被吸收的量會隨著試片厚度的變化而改變。...
2024 年 09 月 13 日

EDS分析應考量輕元素吸收效應 碳/氮/氧低能量X光易被吸收(2)

在進行TEM/EDS成分分析時,特別是涉及碳、氮、氧等輕元素時,低能量X光被吸收的效應仍然相當明顯,而且被吸收的量會隨著試片厚度的變化而改變。必須藉由某些特殊的校正技術,才能重新拉回準確度。 X光吸收...
2024 年 09 月 13 日

EDS能譜判讀精準校正 分析偽訊號/能峰重疊(1)

TEM/EDS除了用於本文中提到的材料元素分析,TEM/EDS亦可應用於材料濃度的成份定量分析。EDS定量分析技術利用待分析物周圍已知成份,進行自我校正計算,可提高EDS定量分析的準確度。 隨著半導體製程已逼近物理極限,各國大廠不斷從材料著手想要突破研發瓶頸。材料分析對於改善半導體缺陷、提升製程良率,是非常重要的關鍵。現今的工程師想要解析微奈米材料時,經常會使用電子顯微鏡加裝X光能量散布能譜儀(X-ray...
2024 年 07 月 03 日

EDS能譜判讀精準校正 分析偽訊號/能峰重疊(2)

TEM/EDS除了用於本文中提到的材料元素分析,TEM/EDS亦可應用於材料濃度的成份定量分析。EDS定量分析技術利用待分析物周圍已知成份,進行自我校正計算,可提高EDS定量分析的準確度。 (承前文)圖4的橫軸是原子序,縱軸是Cu...
2024 年 07 月 03 日

TEM破解半導體差排軌跡 找出晶片漏電真因(1)

差排這個微小缺陷可能會引發半導體元件的漏電流,進而嚴重影響元件的可靠性。穿透式電子顯微鏡(TEM)是目前唯一能觀察到微小差排的分析工具。TEM可以分析差排的型貌、密度和種類,以及差排在矽基板內的延伸軌跡。...
2024 年 05 月 03 日

TEM破解半導體差排軌跡 找出晶片漏電真因(2)

差排這個微小缺陷可能會引發半導體元件的漏電流,進而嚴重影響元件的可靠性。穿透式電子顯微鏡(TEM)是目前唯一能觀察到微小差排的分析工具。TEM可以分析差排的型貌、密度和種類,以及差排在矽基板內的延伸軌跡。...
2024 年 05 月 03 日

TEM分析穩固GaN元件功能 掌握差排晶體缺陷(1)

對比前兩大類半導體材料,第三類半導體氮化鎵因製程原料關係,易產生大量的差排缺陷,而差排的密度和種類,又是影響元件功能的一大要素。如何解析差排類型,並將差排的密度控制在一定範圍,是第三類半導體發展的重要關鍵。...
2024 年 02 月 02 日

TEM分析穩固GaN元件功能 掌握差排晶體缺陷(2)

對比前兩大類半導體材料,第三類半導體氮化鎵因製程原料關係,易產生大量的差排缺陷,而差排的密度和種類,又是影響元件功能的一大要素。如何解析差排類型,並將差排的密度控制在一定範圍,是第三類半導體發展的重要關鍵。...
2024 年 02 月 02 日

採用TEM分析晶體結構 AlGaN磊晶光學性質再強化

用氮化鋁鎵(AlGaN)磊晶為主要材料製造的深紫外光(Deep ultraviolet, DUV)發光二極體(Light-emitting diodes, LEDs)元件,其優異的光學性質和體積小的特性,逐漸取代水銀燈和氙氣燈,成為攜帶型生化檢查系統、淨水器、紫外光微影曝光機等的光源[1-3]。藉由各種改善磊晶層結構品質的方法,可以進一步增進現階段氮化鋁鎵深紫外光發光二極體的光學性質[4,...
2022 年 12 月 29 日

有效降低氮化鉭層電阻 鈷助力先進製程效能提升

隨著人工智慧及大數據時代來臨,晶片也須透過不斷微縮提升效能。面對7奈米(nm)先進製程,如何生產效能更高、耗電更少、面積更小,且符合可靠度要求的晶片,為當今半導體製程的重要課題。
2020 年 01 月 18 日