耗盡型功率MOSFET強化系統可靠性

功率MOSFET最常用於開關型應用中，發揮著開關的作用。然而，在諸如開關型電源的啟動電路(SMPS)的啟動電路、浪湧和高壓保護、防反接保護或固態繼電器等應用中，當閘極到源極的電壓VGS為零時，功率MOSFET需要作為常「開」開關運行。在VGS=0V時作為常...
2023 年 05 月 04 日

先進絕緣封裝優勢多　SMPD強化SiC MOSFET優勢

多數在功率半導體分離式元件的標準封裝中，沒有考慮到一些特定的拓撲結構需求。另一方面，功率模組通常包含完整的拓撲結構，但具有複雜的封裝處理要求。部分供應商的先進絕緣封裝(如SMPD)，填補了模組和分離式元件之間的空白，同時具備功率模組的性能和分離式元件的靈活性。...
2023 年 02 月 23 日

解決電熱不穩定　線性MOSFET提升工作功率

A類音訊放大器、主動式DC-link放電、電池充放電、浪湧電流限制器、低電壓直流馬達控制或電子負載等線性模式應用，都要求功率MOSFET元件在電流飽和區內運行。標準MOSFET用於線性模式應用時容易產生電熱不穩定性(Electro-Thermal...
2022 年 06 月 20 日

緩解ETI減損元件壽命　線性MOSFET負載有保障

功率金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)的輸出特性可分為三個不同的區域，即歐姆區、非線性區以及飽和或稱主動區(圖1)。在歐姆區中，對於給定柵源電壓VGS，漏極電流ID與漏源電壓VDS成正比。MOSFET在這種工作模式下充當電阻器，數值等於其導通電阻RDS(ON)。在非線性區，MOSFET的電阻呈現非線性行為，ID隨著VDS而增加的速度減慢。而在主動區，MOSFET溝道由於有多數電荷載流子而飽和。在該區域中，ID獨立於VDS。ID僅由VGS控制，並且對於任何給定VDS保持恆定。...
2022 年 05 月 23 日
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