從2D FET到2D CFET 製程微縮帶動2D材料需求(1)

為延續摩爾定律(Moore’s Law),半導體製程微縮的技術創新方向不斷轉變。採用2D結構的互補式場效電晶體(CFET),將是下一個推動產業變革的技術。 近二十年來,受摩爾定律啟發的純電路微縮,已不再是預測CMOS技術節點演變的唯一指標。第一個徵兆出現在2005年左右,當時Dennard縮放已經開始放慢。(編按:Dennard定律是指在固定功耗下,製程節點升級可帶來的性能提升幅度)。...
2025 年 03 月 28 日

從2D FET到2D CFET 製程微縮帶動2D材料需求(2)

為延續摩爾定律(Moore’s Law),半導體製程微縮的技術創新方向不斷轉變。採用2D結構的互補式場效電晶體(CFET),將是下一個推動產業變革的技術。 引進較低性能的元件—imec採取的途徑...
2025 年 03 月 28 日