導入閘極屏蔽結構 溝槽式MOSFET功耗銳減

更高系統效率和功率密度,是現今數據和電信電源系統設計的首要目標。為達此一目的,半導體開發商研發出採用閘極屏蔽結構的新一代溝槽式金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),可顯著降低全負載及輕負載時的功率損耗。
2014 年 03 月 24 日

採用屏蔽閘極結構 中電壓MOSFET功耗銳減

同步整流架構是現今許多數據和電信設備電源系統的主要設計方式,其效率的高低與採用的MOSFET開關損耗表現息息相關,因此半導體業者研發出新的閘極屏蔽溝槽式中電壓MOSFET,可進一步降低導通電阻,在全負載和輕負載情況下,皆能顯著減少功率損耗。
2013 年 12 月 12 日
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