創新STI蝕刻技術助攻 20奈米製程良率大增

半導體製程微縮到20奈米後,晶圓溝槽輪廓的深寬比和形狀均勻度變得極為重要,即便是些微的變異都會對良率造成不可忽視的影響,因此業界已開發出新的淺溝槽隔離(STI)電漿蝕刻技術,以克服邊緣溝槽輪廓控制及圖案崩毀等挑戰。
2013 年 09 月 09 日