【65奈米光罩檢測系列(三)】檢測65奈米光罩缺陷 反射光與穿透光模式相輔相成

在新電子251期中,已深入探討在65奈米製程中規畫缺陷的反射光與穿透光檢測模式,並提出通用於兩種檢測模式的缺陷偵測的建議規則。本期文章中,則在兩個圖案對圖案模式中,處理實際的產品光罩。  ...
2007 年 03 月 29 日

圖形背景與排列方向影響偵測效果 穿透光與反射光檢測各擅勝場

反射光在超紫外線微影技術(EUV)世代的應用已甚為重要,特別是在65奈米製程中,更可利用反射光來增強光罩圖案的檢測。在新電子250期中,已了解傳統鉻膜式(Binary)光罩及半透式(Half-tone)光罩在110奈米製程圖形中,使用穿透光與反射光進行規畫缺陷(Programmed...
2007 年 03 月 02 日

克服100奈米以下製程光罩缺陷 反射光圖形檢測效果倍增

反射光在超紫外線微影技術世代的應用甚為重要。本文將分三期介紹如何在65奈米製程中,利用反射光來增強光罩圖案的檢測,本期首先探討傳統鉻膜式光罩及半透光罩在反射光下的特性,下期將討論圖形背景及圖形陣列的兩個規則,並剖析其是否會影響110~65奈米製程的檢測能力。
2007 年 01 月 29 日